GPU野兽袭来！HBM4、AI服务器完全爆炸！

电子爱好者网报道(文章 / 近日，多家服务器制造商表示，由于黄晶晶) AI 服务器需求上升，业绩提升。随着 AI 服务器需求旺盛，英伟达 GPU 升级换代，必然推动升级， HBM 供应商积极推进商品。三星方面 HBM3E/HBM4 有了新的进步，SK 海力士的 HBM4 性能更强。DDR4与此同时 随着陆续减产，更多资源转向 DDR5 和 HBM。

AI 推动服务器业绩提升

发布戴尔科技 2026 财年第一财季(截至 2025 年 5 月 2 日期)财务报告数据。数据显示，戴尔在第一财季收入达到 233.8 亿美元，同比增长 5%，non-GAAP 下面，营业利润为 17 亿美元，同比增长 10%。得益于收入增长和运营费用下降，净利润同比增长 13% 至 11 亿美金。

戴尔第一财季服务器和网络收益达到 63 亿美元，创历史新高，且市场对立 AI 提高对服务器的需求是前所未有的。戴尔首席运营官杰夫 · 克拉克说：“仅在这个季度，我们就得到了。 121 亿美元 AI 订单，超过了 2025 财政年度全年出货量，目前我们还有 144 一亿美元的订单积压。

第二财季戴尔估计 AI 服务器将出货合同 70 十亿美元。相比之下，戴尔过去每个季节都有 AI 大约有服务器出货 31 十亿美元。今年 2 月亮，戴尔估计了全财年 AI 预计服务器收入预约 150 与去年相比，亿美元 98 与亿美元相比，大幅增长超过 50%。

富士康是英伟达 AI 由于服务器制造商， AI 第一季度服务器销售强劲，收入同比增长 创同期历史新高的24.2%。预计第二季度将实现明显的同比增长，其中 AI 服务器业务将呈现两位数的高增长，加速量产上坡。其 1-3 月纯利润达 421.2 13.9亿新台币 亿美元)，高于分析师的平均估计。 378 亿新台币。

近日，英伟达表示，今年下半年将转变为 Blackwell Ultra 芯片，Blackwell Ultra GPU 配置 12 层 HBM3e 显存，实现 8TB/s 内存带宽。2026 将于年底发货 Vera Rubin。Vera CPU 的内存是 Grace 的 4.2 内存带宽是倍数 Grace 的 2.4 倍。Rubin GPU 由两个 GPU 组成一个单芯片，将配备 288GB 的 HBM4。Vera Rubin 以后名叫 Vera Rubin Ultra 的芯片，将 Vera CPU 和 Rubin Ultra 芯片（Rubin Ultra 由四个 GPU 组成)组合，将存在 2027 年底上市。

三星、SK 海力士积极备战 HBM

据国外媒体报道，目前三星 12 层 HBM3E 商品已经基本通过了英伟达。 DRAM 单芯片认证，现阶段正在进行成品认证程序。三星最初的估计 6~7 每月完成认证，但报道称三星设定的最新目标是今年。 7~8 月亮通过了英伟达 12 层 HBM3E 质量验证测试。三星电子在第一季度财务报告会议上表示，下半年将扩大强化型。 12 层堆叠 HBM3E 产品销售。

韩国业内人士指出，如果三星 2025 年无法供应 12 层 HBM3E 给予英伟达，它 2026 年 HBM 战略必然会大幅度调整，甚至可能放弃。 HBM3E 商品，然后专注于第六代。 HBM(HBM4)。

SK 世界上第一款海力士 16 层堆叠的 HBM3E 货物，达到带宽 1.2TB/s。有望应用于此 NVIDIA 最新的 GB300 " Blackwell Ultra " AI 集群商品。

HBM4 进步方面，以前 SK 最新一代海力士向公众展示了它。 HBM4 高带宽内存技术。据官方介绍，SK 海力士 HBM4 最大的单颗容量可以达到 带宽高达48GB 2.0TB/s，I/O 速率达到 8.0Gbps。公司打算在 2025 年年底实现 HBM4 大规模量产。

而且三星已经和很多客户合作，开发是基于 HBM4 和加强型 HBM4E 今年下半年计划量产定制版，预计将于今年下半年量产。 2026 商业供应于2000年开始。

当前，SK 选择海力士和美光 1b DRAM 制造 HBM4 ，而且据韩媒报道，三星直指更先进的 1c DRAM。三星计划扩大韩国华城和平泽 1c DRAM（第六代 10nm 等级)生产，相关投资将于年底前启动。今年年底之前，三星还考虑将华城 17 号生产线从 1z DRAM 转为 1c DRAM 为了进一步扩大产能，生产。

今年早些时候，三星已经在平泽第四公园(P4)开始了第一条 1c DRAM 生产线，目标月产能为 3 万片晶圆。如果后续扩建顺利，月产能有望提高到 4 万片。

DDR4 减产，转为 DDR5/HBM

三星，美光，SK 从去年开始，海力士开始减少。 DDR4 产能。三星从 2025 年 4 从月开始停止生产 1y 和 1z 纳米工艺的 8GB DDR4 商品，最终订单截止日期为 6 月。SK 海力士在 2024 年第 3 季 DDR4 生产比例已经从第一位开始 2 季 40% 降到 30%，第 4 进一步降低季度计划 20%。而且美光还通知客户旧版停工服务器。 DDR4 模块。

随着 DDR4 减少生产，产能就会转移 DDR5、LPDDR5、HBM 等商品上。在最新的财务报告中，美光表示，该公司致力于在现有制造设备中加入 HBM 生产能力，以满足 2026 年度市场需求。今年 4 月，美光重组了业务部门，新建立了向超大型云用户提供内存解决方案，为数据客户中心用户提供内存解决方案。 HBM 云内存业务部。美光表示，此次重组的背景是推进高性能内存和存储。 AI 发展越来越重要。

HBM 热量也反映在设备成本上。据 SEMI 最新报告显示，2024年，随着半导体前端后端工艺投资的扩大，设备市场增长将得到推动。 全球半导体制造设备年投资额达到 1171 与去年相比，亿美元增长 10%。在半导体前端设备领域，晶圆加工和其他设备的成本同比增加 9% 和 5%，后端封装设备和检测设备的投资也分别增加 25% 和 20%。后端主要是因为高带宽存储器（HBM ）需求增加，导致对基础工艺设施的投资增加。

集邦咨询 TrendForce 预测，2026年受强烈需求推动。 年 HBM 总出货量将突破 300 亿吉比特，HBM4 将在 2026 年年底超越 HBM3e，成为市场主流解决方案。

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