国内碳化硅技术再获突破：14英寸单晶材料研制成功，产业格局迎新变

近期，国内碳化硅领域接连传来振奋人心的消息，两家企业的技术进展引发行业关注。

国内成功研制14英寸碳化硅单晶材料

天成半导体于3月11日通过官方微信发布消息，借助自主研发的设备，该公司成功制备出14英寸碳化硅单晶材料，其有效厚度达到30mm。

这一成果不仅填补了国内在该领域的技术空白，更意味着我国碳化硅产业在大尺寸材料领域，正式实现从“12英寸普及”到“14英寸破冰”的重要跨越。

此次推出的14英寸产品主要应用于半导体制造设备的碳化硅部件，成功打破了日韩欧企业在该领域的垄断局面，标志着国内企业在碳化硅大尺寸技术赛道上取得关键突破，也为全球碳化硅半导体产业格局注入了新的活力。

作为国内知名的碳化硅企业，天成半导体在2025年就已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长的成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料的晶体有效厚度突破35mm。

大尺寸碳化硅衬底能够显著降低成本、提高良品率，并适配高端器件，是第三代半导体产业实现规模化发展的关键。12英寸衬底的面积约为6英寸的4倍，芯片产出量为6英寸的3.8至4.4倍，14英寸衬底将进一步放大这一优势。

目前，碳化硅主流厂商仍以6英寸产品为主，8英寸产品正快速提升产能。不过，近期国内多家碳化硅企业纷纷宣布在大尺寸升级方面取得突破。

三安光电3月2日在投资者互动平台表示，公司的12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证。

2月22日，露笑科技对外宣布，公司首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成了从长晶到衬底全流程工艺的开发测试。

1月23日，海目星旗下子公司海目芯微成功研制出直径12英寸的碳化硅单晶晶锭，完成了6英寸、8英寸、12英寸全尺寸长晶技术布局。

2025年9月，晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线。

天岳先进此前在投资者互动平台表示，公司已推出12英寸全系列衬底，包括半绝缘、导电P型和导电N型。

Wolfspeed推出碳化硅先进封装平台

3月12日，全球碳化硅知名企业Wolfspeed（沃孚半导体）通过官方微信宣布，公司近日推出基于300mm碳化硅技术的新一代AI数据中心先进封装基础平台，为先进AI和高性能计算封装解决方案提供可规模化的基础材料。

随着人工智能工作负载的快速增长，数据中心集成化不断提升，对封装尺寸、功率密度和功能复杂性的要求日益提高，传统材料已难以满足需求。

该公司首席技术官表示，此平台旨在将碳化硅的材料优势与行业标准的制造基础设施相结合，为下一代人工智能和高性能计算封装架构拓展解决方案空间。

Wolfspeed正与晶圆厂、OSAT（外包半导体封装和测试供应商）、系统架构师等生态伙伴开展合作，验证技术的可行性、可靠性及集成路径，推动混合碳化硅—硅封装架构的落地。

碳化硅用于先进封装，主要是为了解决GPU芯片的高散热问题。此前有媒体报道，英伟达计划在新一代Rubin处理器的开发中，将CoWoS先进封装环节的中介层材料由硅更换为12英寸碳化硅衬底，以破解Rubin平台1000W功耗与高密度Chiplet封装面临的热管理、结构可靠性、互连密度三大瓶颈，预计最晚于2027年导入。

第三代半导体的核心材料

碳化硅作为第三代半导体的核心代表，与硅相比，具有10倍的击穿电场强度、3倍的禁带宽度、2倍的极限工作温度、2倍的饱和电子漂移速率以及3倍的热导率。凭借这些独特的材料特性，碳化硅正逐步突破传统硅基半导体的性能瓶颈，成为新能源汽车、光伏储能、AI算力、高端工业等领域的关键核心材料。

集微咨询发布的《2025中国第三代半导体行业上市公司研究报告》显示，2024年全球碳化硅功率半导体器件市场规模为26亿美元，预计到2029年全球销售额将达到136亿美元，年复合增长率预计为39.9%。

据证券时报·数据宝统计，A股市场中碳化硅概念股有20余只，目前已有14家公司发布2025年业绩数据，但整体业绩表现不佳，其中亏损公司达7家，业绩增长的公司仅有士兰微、温州宏丰、维科精密等少数几家。

业绩下滑的主要原因是国内碳化硅市场竞争激烈。天岳先进在业绩预告中表示，国内碳化硅衬底行业市场竞争加剧，公司为扩大市场占有率、巩固行业地位实施阶段性市场战略调整，导致产品平均销售价格下降，最终使得公司整体营收规模同比下滑。

从机构评级来看，有16只碳化硅概念股获得机构关注，扬杰科技、晶盛机电、华润微、斯达半导等公司的关注机构数量居前，均在5家及以上。

立昂微、天岳先进、海目星、晶升股份等公司最受机构看好，机构一致预测这些公司未来两年的业绩增速均值超过100%。