三星亮相40Gbps GDDR7显存新品：3GB规格搭载12纳米DRAM工艺
12-06 06:42
IT之家12月5日消息，据《韩国时报》此前报道，三星于首尔举办的2025年度韩国科技节上，展出了一款传输速率达40Gbps的GDDR7显存，该显存的容量为3GB（即24Gb）。
相关信息显示，这款显存荣获了“总统级表彰”，它采用三星自主研发的12nm DRAM工艺打造，工艺水平相当于行业内的10nm级别。
值得关注的是，三星并非仅研发40Gbps的3GB GDDR7显存。此前已有消息透露，该公司正在量产传输速率为28Gbps的3GB显存模组，此模组极有可能被英伟达应用于即将发布的RTX 50系列显卡的Super中期升级版本中。
或许有人会觉得，英伟达没有选择速度最快的显存这一做法有些反常，但实际上，像英伟达这样的厂商在选择显存方案时，会优先考虑已量产的成熟方案。因为处于样品阶段的新品无法满足新品显卡上市的需求，只有采用供应稳定且库存充足的方案，才能保障显卡的正常生产与供应。
三星的竞争对手SK海力士也在积极筹备新品。据悉，SK海力士计划在ISSCC 2026（IT之家注：ISSCC为国际固态电路会议）上展示其高速DRAM产品系列，其中包含一款容量为24Gb、传输速率可达28Gbps的GDDR7显存。有消息称，这款显存将采用对称双通道设计，有望打破大众对GDDR7显存32-37Gbps的常规速率预期。
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