英飞凌踏入车规级GaN领域，适用于48V系统

2025-10-25

电子发烧友网综合报道，近日，英飞凌推出首款符合AEC - Q101标准的100V CoolGaN ™汽车晶体管系列，并且已经开始提供符合该标准的预生产产品系列样品，其中包括高压CoolGaN汽车晶体管和双向开关。

英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“我们的100V氮化镓汽车晶体管解决方案以及即将拓展到高压范围的产品组合，是开发汽车应用节能可靠功率晶体管的一个重要里程碑。”

英飞凌这款100V G1系列晶体管采用增强型设计，典型导通电阻低至3.3mΩ，封装于3x5mm的PQFN紧凑结构中，能在 - 40°C至 + 150°C的环境下稳定工作。其高频特性可将开关损耗降低70%以上，在48V/12V混合架构的区域控制单元、主DC - DC转换器中，能使磁性元件体积缩减30%以上。

在区域控制单元与主DC - DC转换器场景的48V/12V混合架构中，GaN的高频特性可减小电感、电容体积，提升转换效率。

同时，这款100V GaN FET还能应用于ADAS、激光雷达、线控转向等系统的高效供电，以及车载音频放大器等。英飞凌指出，随着汽车平台从传统的12V架构过渡到先进的48V系统，尤其是在软件定义汽车中，氮化镓技术起着关键作用。它不仅提高了系统效率和性能，还实现了线控转向和实时底盘控制等创新功能，有助于提升驾驶舒适性和精确操控性。

英飞凌同步推出预生产型高压CoolGaN晶体管和双向开关，为车载充电器（OBC）和牵引逆变器的高压应用做好铺垫。其650V G5系列已应用于消费电子和数据中心，未来有望拓展到汽车高压领域。

目前，GaN在汽车领域的应用已成为趋势，英诺赛科已推出多款车规级GaN产品。例如，40V的INN040FQ045A - Q采用3x4mm FCQFN封装，导通电阻4.5mΩ，通过16项严苛可靠性测试，适配高频DC - DC转换器与电机驱动器；100V的INN100W135A - Q采用2.13x1.63mm超小封装，开关速度较硅器件提升13倍，成为L2 + /L3级自动驾驶激光雷达的核心器件。

Tier1厂商在近几年也陆续推出基于GaN的OBC模块产品。汇川联合动力推出的6.6kW GaN车载二合一电源，采用GaN功率器件，运用业内先进的PFC变频调制技术、动态母线控制技术、双有源变换器调制技术，实现了整机96%的满载效率，功率密度达到4.8kW/L，整机重量降低20%；联合电子首发的超级氮化镓车载充电机，以“GaN + SiC”组合实现6.8kW/L功率密度，磁件体积缩减60%；浩思动力将GaN芯片集成于增程器发电系统，使整体效率提升2%，电控体积缩减30%；阳光电动力推出的二合一OBC，采用GaN器件以及单级拓扑架构，实现6.1kW/L功率密度，96.2%全电压充电效率，整机重量可减轻25%以上。

英飞凌收购GaN Systems后，整合了电压型和电流型驱动技术，形成覆盖40V至700V的完整产品线。同时，在车规级产品方面，英飞凌得益于GaN Sysyems此前的积累，终于正式进入车规级GaN FET产品领域。未来，通过硅、SiC、GaN的技术组合，英飞凌将能够在汽车领域提供从高压到低压的全链路产品组合。

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