碳化硅技术重大突破，QFII重仓6只相关概念股

近期，中国科学院半导体研究所科技成果转化企业北京晶飞半导体科技在碳化硅晶圆加工技术领域实现重大突破，借助自主研发的激光剥离设备，成功完成12英寸碳化硅晶圆的剥离。这一突破是中国在第三代半导体关键制造装备领域的重要进展，为全球碳化硅产业降本增效提供了新方案。

晶飞半导体指出，此次技术突破对碳化硅产业意义重大。一方面，12英寸碳化硅晶圆比目前主流的6英寸晶圆可用面积约提升4倍，单位芯片成本降低30% - 40%；另一方面，解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术难题，为全球碳化硅产能扩张提供设备保障，打破了国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断，有力支撑了我国半导体装备的自主可控。此外，成本降低会加速碳化硅器件在新能源汽车、可再生能源等领域的应用。

碳化硅是由碳和硅元素组成的化合材料，具有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等独特物理特性，是诸多行业降本增效的关键材料。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，在从材料到器件的全链条上性能优势明显，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。

碳化硅功率器件广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏储能、数据中心服务器等领域，市场规模迅速扩大。根据Yole数据，2024年全球碳化硅功率器件市场规模为34.3亿美元，预计到2030年将达103.85亿美元，2024 - 2030年的年复合增长率约为20%。

随着碳化硅技术不断突破，其材料优势正从传统功率器件领域向半导体制造核心环节拓展。东方证券研报认为，英伟达GPU芯片功率不断增大，将众多芯片集成到硅中介层会对散热性能提出更高要求，若采用导热率更好的SiC中介层，散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸。部分头部公司已关注到碳化硅在中介层的应用潜力，同时，碳化硅也有望应用于散热载板。

据证券时报·数据宝统计，A股中布局碳化硅产业的个股有42只，9月以来概念股大多回调，平均下跌1.34%。不过，有15股逆市上涨，天岳先进、弘元绿能、德龙激光累计涨幅居前，分别为23.38%、23.21%、17.34%。

天岳先进半年报显示，公司自成立就专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。它是全球少数能实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。

碳化硅概念股普遍重视研发创新。半年报数据显示，42只概念股今年上半年研发费用合计达105.05亿元，24股研发费用同比增长，燕东微、英唐智控、北方华创研发费用同比增幅居前，分别为221.21%、111.6%、52.74%。

燕东微半年报披露了上半年研发成果，在碳化硅领域，基于6英寸SiC生产线，持续提升工艺技术能力，小pitch MOSFET技术验证版完成首轮产品流片，确认工艺基限。公司上半年实现归母净利润1.28亿元，同比扭亏为盈。

部分碳化硅概念股受QFII青睐。统计显示，6股半年报前十大流通股东名单中有QFII身影，按6月30日收盘价计算，合计持股市值达2.04亿元，*ST华微、深圳华强、宇环数控获得QFII持股市值居前，分别为0.87亿元、0.47亿元、0.22亿元。

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