华为海思进军碳化硅市场，推出1200V工规级SiC单管

07-28 06:06

电子发烧友网综合报道，近期，海思半导体在其官网上架了两款工规1200V SiC MOSFET单管产品，分别是ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，导通电阻分别为20mΩ和35mΩ。海思称，这两款SiC单管器件具备优良的导通特性与快速的开关特性，能助力客户实现更高的系统效率。同时，多种系统解决方案可支持客户快速导入SiC方案，加快产品上市速度。

海思提供了面向大功率设备的三管并联解决方案和面向高效电能转换的11KW CLLC解决方案。从功率和拓扑结构来看，这类方案常用于充电桩、储能系统、工业电源DC - DC和OBC等场景。

据海思官网信息，两款1200V SiC MOSFET单管均采用TO - 247 - 4封装，最大结温均为175℃。在25°C环境温度下，ASO1K2H020M1T4的最大连续漏极电流额定值（ID max）为100A，ASO1K2H035M1T4为61A；在25℃和175℃下，ASO1K2H020M1T4的导通电阻分别为20mΩ和30mΩ，ASO1K2H035M1T4分别为35mΩ和57mΩ；RθJC max最大结到壳热阻分别为0.37K/W和0.57K/W。

华为在2022年发布的《数字能源2030》报告中指出，电力电子技术为能源系统变革的安全性和可控性提供保障。在电力消费方面，主要变化是分布式电源和储能装置的接入，大量新型负荷需要直流电源以及主动支撑源荷互动，如数据中心、通信基站、电动汽车充电站等。高效率、高功率密度、高可靠性、低成本的转换电源和开关设备能满足用户日益多样的个性化需求和高标准的电能质量治理需求，新型功率半导体的应用需求大幅提升。未来能源系统以可再生能源最大限度开发利用、能源效率最高为目标，对能源输送和控制的安全、高效、智能等方面提出更高要求，这都需要电力电子化设备进行运行、补偿和控制。

目前，这些设备大多使用硅基器件，但硅基器件的参数性能已接近材料物理极限，无法承担未来大规模清洁能源生产传输和消纳吸收的重任，节能效果也接近极限。以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件，凭借高压、高频、高温、高速的优良特性，能大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。光伏、风电等新能源发电、直流特高压输电等领域对电能高效转换需求极大，新型功率半导体适应了这一需求趋势。未来十年是第三代功率半导体的创新加速期，渗透率将全面提升。碳化硅当前的瓶颈主要是衬底成本高（是硅的4 - 5倍），不过受新能源汽车、工业电源等应用推动，其价格已下降，性能和可靠性进一步提高，产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。

到2025年，碳化硅价格已大幅下滑，并在新能源汽车等领域广泛应用。

值得注意的是，华为旗下哈勃投资已投资众多国内碳化硅企业，覆盖上游衬底、外延片、设备、器件/模块等企业，包括天科合达、天岳先进、天域半导体等。

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