英伟达认证延迟，三星HBM3E进展新动态

07-13 06:09

电子发烧友网综合报道，据韩媒消息，三星电子近期完成了与博通关于12层HBM3E产品的质量测试，目前正就量产供应展开磋商。此次协商的供应量按容量算约为10亿Gb左右，量产时间最早从今年下半年持续到明年。当下，博通凭借自身半导体设计能力，正为谷歌代工第七代TPU“Ironwood”以及Meta自研AI芯片 “MTIA v3”。

此外，三星电子也在积极推进向亚马逊云服务（AWS）供应12层HBM3E产品，近期已在平泽园区启动实地审核。AWS计划明年量产搭载该存储器的下一代AI芯片 “Trainium 3”。

7月8日，三星电子在韩国公布2025年第二季度运营利润为4.60万亿韩元，低于分析师预期的6.18万亿韩元；销售额为74.00万亿韩元，也低于预期的75.77万亿韩元，主要是美国制度和库存问题致使非记忆芯片业绩下滑。

三星电子已在平泽的P1和P3生产线上量产12层HBM3E。此前三星设定目标，计划将今年HBM总供应量扩大至上年两倍，达到80 - 90亿Gb的水平。

不过，韩媒报道称，三星电子在第二季度末减少了12层HBM3E的产量。今年第二季度，三星电子12层HBM3E硅片产量预计平均每月7万至8万片，但在第二季度末大幅减少了晶圆投入，目前产量为每月3万至4万片。

原因在于原本计划今年年中向英伟达供应该产品，但谈判拖延，下半年需求的不确定性增加。三星电子最初目标是6月完成测试，不过测试可能最迟要到9月才能完成。业内人士表示，发热问题仍在讨论中。

市场研究机构伯恩斯坦分析预计，到2025年SK海力士仍将以57%的占有率领先，不过三星（27%）和美光（16%）的追赶会让市场格局更加均衡。

最近，三星开始向AMD供应其12层HBM3E。该公司还与多家客户合作开发定制的HBM4产品，预计该产品从明年起将为公司带来收入。

其他厂商方面，SK海力士展示了HBM4技术，其容量可达48GB，带宽高达2.0TB/s，I/O速度为8.0Gbps，SK海力士表示计划在2025年下半年量产。SK海力士还拥有全球首例16层HBM3E技术，带宽为1.2TB/s。另外，美光科技已将12层堆叠36GB HBM4送样给多家主要客户，是继SK海力士后第二家宣布出货HBM4的企业。美光HBM4预计2026年量产，以配合客户下一代AI平台的扩产进度。

三星芯片业务负责人全永铉在3月股东大会上承认，HBM市场早期失利使其落后于SK海力士，并承诺在HBM4领域不再重蹈覆辙，这款下一代内存将应用于英伟达的Rubin GPU架构。

现阶段，三星一方面与英伟达就12层HBM3E的认证还需时间，另一方面全球科技巨头的ASIC自研芯片为三星HBM3E出货提供了新途径。

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