高密度DTC硅容量生产上市-森丸电子发布系列芯片电容商品

07-05 09:44

材料革命的每一次，都在重塑电子产业的未来。传统的MLCC物理极限，正成为高档电子产品性能的瓶颈。

01.硅电容器：被动电子元件的革命性突破

硅电容(Silicon Capacitor)选择单晶硅衬底，通过深槽蚀刻技术在硅晶圆上构建三维微结构，然后通过一系列薄膜沉积蚀刻技术实现高纯度电介质层。这种结合半导体制造技术的创意设计，使得电容性能有了质的飞跃:

·良好的容值稳定性：由于容值漂移，包括温度、偏压和老化特性，不到MLCC的1/10。；

·超薄形态：可以达到50微米以下的超薄厚度，甚至不能达到头发直径；

·极高密度：单位面积容量增加10倍以上；

·ESL和ESR极低。：确保信号完整性，减少电源干燥和阻抗。

传统MLCC采用陶瓷粉末未堆叠烧结工艺，存在先天不足:瓷器固层容易出现微裂纹，高温烧结会导致内部应力堆积，多层结构会带来高寄生电感。硅电容的单晶硅基具有高度有序的原子排列和无晶界缺陷，从根本上解决了这些问题。

硅电容器并非对MLCC的简单改进，而是基于半导体技术的基本技术创新。它的优点体现在多个维度上，直接解决了MLCC在高性能应用中长期存在的“隐性妥协”。AI通讯、高速Cpu等5G/6G通讯、HPC)电源分配网络 (PDN)、ADAS汽车电子(例如ADAS、BMS)、在医疗器械(植入式和体外诊断)等高端领域，硅电容正在迅速取代传统的MLCC，成为新一代电子系统的“性能心脏”，通过减少所需元器件的数量或提高系统的整体可靠性。

02.电子设备的发展趋势推动电容器突破性能界限。

在终端轻薄化的趋势下，电容向“五高一小”发展：“五高”:高容量、高频率、耐高温、耐高压、高可靠性；“一小”:微型化，即 0201，01005 等待超小比例的增加。

·5G/6G通讯

通信带宽达到高频后，信号路径上的消耗变得不可接受，这就要求电容器有更好的Q值和更高的SRF(自谐振频率)。同时，为了将电容器的小型化要求集成到天线阵列和微型模块(如AiP)中，已经达到了完美，01005甚至更小的008004尺寸已经成为R&D的重点。

·汽车电子

ADAS、LiDAR、汽车信息娱乐和动力总成电气化等应用，不仅需要大量的电容器，而且对可靠耐高温(-55℃至 250℃)和耐高压提出了严格的要求。

·高性能计算(HPC)和AI数据中心

新一代CPU、GPU和AI加速器对功率的需求呈指数级增长，其PDN供电网络设计面临巨大挑战。最先进的电源完整性解决方案是为这些高功耗芯片提供稳定、清洁的电源。它直接驱动了极低的ESL(例如IDC)、LGA)以及极高电容密度电容器的不断创新。CPO等下一代封装技术的发展也是关键驱动力之一。

03.森丸电子发布了多种量产硅电容产品特性，如比肩村田等国际大厂。

森丸电子团队深耕行业十余年，致力于推进全面无源集成时代，是国内首家掌握硅电容设计的企业。制造全链技术的创新公司。目前，基于森丸平台的各种硅电容产品已经实现了头部客户的量产交付，累计交付了数亿个硅电容。

管沟硅电容DTC

基于森丸高密度电容工艺平台的开发和制备，选择深硅刻蚀、薄膜沉积和图形化等半导体工艺。森丸DTC电容广泛应用于射频电路、电源稳压、光通信等领域，具有高电容密度、高抗压、低寄生、高安全性和可靠性的优点。

应用领域

DTC电容器主要应用于光电领域的高速收发模块，因其优异的电气性能，如低ESR、ESL和插入损耗，以及优异的频率稳定性。(DSP、SerDes、Driver、PA)PDN供电网络的去耦电容，以及电源线的耦合电容等。这种高功耗、高速的使用场景对电源的稳定性、清洁度和信号的完整性有着极其严格的要求。需要保证极低的阻抗和插入损耗，减少噪声对数据传输的影响，提高信号的信噪比和稳定性。

在光通信中，DTC硅电容应用示意图

基本参数

以SWAK0505A/B1R0为例，具体设备存在差异，详情请参阅森丸电子网站

商品容值表

典型的产品参数

温度漂移测试曲线和DC偏压测试曲线(SWAK0505A/B1R0)

检测曲线和容值频率特征曲线(SWAK0505A/B1R0)

MIM表贴硅电容器

SW-MIM硅电容采用平面薄膜沉积和图形化工艺，使其具有精度高、频率好、精度高、体积小、漂移指数低、性能稳定等优点。

应用领域

MIM电容器的小体积优势适用于高密度集成，低温漂移指数保证了电容值在不同温度环境下变化不大，保证了电路性能的稳定性，广泛应用于射频匹配电路等。

在射频电路中，MIM电容使用示意图

基本参数

根据设备型号不同，更具体的性能可以查询森丸电子官网

商品容值表

三)MIS硅电容

金属_绝缘物_半导体的结构基于森丸高精度电容工艺平台的开发和制备，赋予其高抗压性和稳定性。适用于线路等装配工艺，可与各种半导体器件适应性好，广泛应用于射频电路、光通信等领域。

应用领域

SW-MIS硅电容器具有精度高、体积小、漂移指数低、性能稳定等优点，广泛应用于需要阻挡DC或射频旁通的系统(莲藕)、滤波器、振荡器、匹配网络等，小体积优势有利于系统的整合。

DC 使用示意图Blocking

基本参数

根据设备型号不同，更具体的性能可以查询森丸电子官网

商品容值表

4）玻璃电容

SW-基于森丸高精度玻璃工艺平台开发和制备GMIM电容，选择TGV。、半导体工艺过程，如平面薄膜沉积和图形化。FRP具有较好的机械稳定性，电气消耗较低，可应用于高频领域，适用于MIM电容器的组合应用。FRPMIM电容器具有高击穿场强度、高Q值和稳定性，产品采用TGV连接背面金属接地，采用引线键合焊层结构，方便接线应用。

应用领域

SW-GMIM电容器具有精度高、体积小、漂移指数低、性能稳定等优点，广泛应用于射频匹配电路和光通信等。