加快追逐国产内存！长鑫15nm 今年DRAM发展明年量产

快科技 2 月 12 据韩国媒体报道，日消息，长鑫存储（CXMT）下一代正在加速发展 DRAM 技术，它没有按原计划为第一商业用途。 DDR5 产品采用的 而是直接使用17nm。 16nm 制程技术。

下一代 15nm 工艺技术也是在当前工艺的基础上开发的，其目标是 2025 这项技术是在年内开发的，并且最快 2026 商业化的目标可以在年底实现。

以前长鑫存储的主要生产选择 17-18nm 制程的 DDR4、LPDDR4X 等待成熟产品，2024 年 11 月份，该公司首次发布。 LPDDR5 商品，并在 2025 年早成功实现 DDR5 商业化目标。

这次长鑫存储 DDR5 采用的工艺技术一直充满信心，现在事实证明，其下一代工艺开发速度比原计划快。

科研机构 TechInsights 表示，长鑫的存储已经完成 17nm 工艺研究开发之后，随后完成 16nm 工艺技术的开发，所以首次商业化 DDR5 商品使用了 16nm 制程技术。

另外，长鑫存储计划的发展 15nm 工艺技术，但受美国加强先进半导体制造设备出口限制的影响，无法引入 EUV 先进的制造设备，导致计划暂时放缓。

但随着科学研究和发展的成熟，预计长鑫存储利用现有设备也足以开发和量产下一代工艺。毕竟，美光 13nm DRAM 工艺技术也没有使用。 EUV。

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