韩系两大厂商加速HBM4E研发，2027年欲占40%市场

快科技11月14日消息，据媒体报道，三星和SK海力士已将目光投向更先进的HBM4E，正加快布局以应对下一代高端存储市场的竞争。随着新一代AI加速器首次采用基于HBM4的定制化设计，HBM在提升性能和降低延迟方面的作用变得更加重要。

进入HBM4E阶段后，产业有望从标准化产品进一步转向定制化解决方案，核心部件将根据客户需求进行专门设计。这一转变预计会成为影响供应商市场竞争格局的关键因素。

目前，三星和SK海力士都计划在2026年上半年完成HBM4E的开发。由于搭载该内存的AI加速器预计在2027年上市，两家公司需要在2026年下半年完成质量验证，所以正全力加快研发进程，以确保产品能按计划推进。

在定制化HBM设计中，基础裸片可根据客户的特定需求进行设计和制造。这对DRAM厂商的设计能力和生产工艺提出了更高要求，只有具备快速响应能力的企业才能在这一领域占据优势。

从HBM4开始，三星采用自家代工生产基础裸片，这可能是其竞争优势所在。SK海力士同样转向代工模式，选择与台积电合作共同开发HBM产品。而美光考虑到成本因素，在HBM4阶段仍使用DRAM工艺生产基础裸片，计划到HBM4E阶段再转由台积电代工。

有分析指出，HBM4E有望在两年内成为HBM市场的主流产品，预计到2027年将占据约40%的市场份额。

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