传闻三星HBM4通过英伟达认证，即将开启量产

电子发烧友网综合报道，据业内人士消息，上个月三星向英伟达提供了HBM4样品，目前已通过初步质量测试，本月底将进入预生产阶段。若能通过英伟达最终验证，最早11月或12月便可大规模生产。这一进展让三星在后续HBM订单竞争中占据有利地位。

在HBM3E方面，三星给出了极具吸引力的报价。有传闻称，其向英伟达提供的报价比SK海力士低20%至30%，三星采用这种激进定价策略来增强市场竞争力。

近日有消息表明，SK海力士已向英伟达小批量供应HBM4，以支持英伟达下一代AI加速器Rubin GPU的出样计划。据悉，英伟达计划2025年9月推出Rubin GPU样品，SK海力士提前调整供应节奏以满足需求。

除英伟达外，7月1日SK海力士表示，正在与英特尔就Gaudi AI加速器相关的HBM展开合作，其第6代高带宽内存（HBM4）有可能安装在英特尔Jaguar Shores AI显卡加速器产品中。

美光已向多家主要客户提供最新研发的12层堆叠36GB HBM4内存样品。该内存采用成熟的1 β（1 - beta）DRAM制程，结合先进的12层封装技术。与前代产品相比，HBM4每个内存堆叠传输速率超2.0 TB/s，性能提升超60%。美光HBM4内存的2048位元接口为AI加速器提供更广泛带宽，显著提升AI推理速度。

美光在发布会上透露，HBM4内存生产进程与客户下一代AI平台准备进度紧密配合，确保无缝集成，并适时扩大产量满足市场需求。

近日，美光首席商务官Sumit Sadana称，与客户就2026年HBM供货量谈判取得显著进展。12层HBM3E良率提升速度远超8层，12层产品出货量已超8层。预计明年供应产品大部分为12层的HBM3E，也可能包含HBM4。

据韩媒报道，三星电子正加紧招聘经验丰富的高带宽存储器 (HBM) 专家，目标是招募下一代半导体和芯片封装技术领域的工程师，包括混合键合工艺，该工艺被视为提高人工智能和其他计算应用性能的关键。与此同时，三星电子缩减了表现不佳的晶圆代工部门招聘规模。

具体而言，三星在寻找能为先进HBM设计新架构的封装开发专家，产品规划人员负责与对定制HBM感兴趣的客户沟通。定制HBM是垂直堆叠DRAM产品的一种，底层芯片配备客户指定功能。预计三星电子最早明年将定制HBM推向市场。

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