2nm良率竞争:台积电领先,英特尔与三星谁能笑到最后?
电子发烧友网报道(文 / 章鹰)7月16日,英伟达H20芯片恢复在中国销售的消息,让英伟达当日在美国股市高开,股价升至170.7美元,市值达4.16万亿美元,再创历史新高。同时,这一消息也带动其主要晶圆代工伙伴台积电股市高开,股价冲到237.71美元。台积电即将召开法说会,届时全球半导体产业走向以及2nm先进制程进展备受关注。

图:台积电 电子发烧友拍摄
2nm先进制程有哪些先进技术?客户情况如何?三大晶圆代工龙头企业的最新进展和良率怎样?本文将详细分析。
2nm开启新时代,台积电独占鳌头
早在2024年IEDM大会上,台积电首次披露N2 2nm工艺关键技术和性能指标:与3nm相比,晶体管密度增加15%,同等功耗下性能提升15%,同等性能下功耗降低24%-35%。
2nm与之前的5nm、3nm有很大不同,底层技术发生了重大变革。从2nm开始,台积电、三星、英特尔都全面转向GAAFET晶体管,这意味着FinFET完成使命,无法再推动制程微缩,止步于3nm。GAAFET将FinFET上的鳍片嵌入栅极,形成纳米片,实现四面包围,增强了栅极控制能力,有效应对短沟道效应和漏电流等微观物理瓶颈。GAAFET与ASML的EUV光刻机配合,让摩尔定律得以继续推进。
台积电官网消息显示,其2nm采用第一代Nanosheet纳米片技术的环绕闸极晶体管(GAAFET)架构;与N3E相比,相同功耗下速度增加10 - 15%;相同速度下,功耗降低25 - 30%,新品逻辑密度相对增加15%以上。
台积电CEO魏哲家表示,2nm需求优于3nm。供应链称,由于2nm设计难度高,在尚未量产时,苹果、AMD、英特尔等多家客户就已接洽。
在全球2nm工艺中,台积电是唯一良率和技术都获业界认可的厂商。KeyBanc Capital Markets报告显示,截至2025年中期,台积电N2制程良率约达65%,远超主要竞争对手,使其在全球晶圆代工领域保持领先。
今年3月31日,台积电在高雄楠梓科学园区举行“2nm扩产典礼”,见证其在先进制程技术上的重大突破,典礼由台积电共同营运长暨执行副总经理秦永沛主持。行业消息称,台积电2nm制程将于2025年下半年量产,并首次采用2nm(Nanosheet)晶体管结构。
为巩固晶圆代工优势,台积电正推进N2工艺良率提升,计划在2026年将N2制程良率提高到75%。要实现这一目标,需克服多重挑战,如多重图案的极紫外线曝光中的拼接问题和叠对控制。
英特尔、三星2nm制程良率与制造进展
近年来,晶圆代工竞争激烈。2024年8月6日,英特尔宣布基于Intel 18A制程节点打造的首批产品——AI PC客户端处理器Panther Lake和服务器处理器Clearwater Forest样片已出厂、上电运行并启动操作系统。这两款产品进展顺利,预计2025年开始量产。英特尔还宣布,采用Intel 18A的首家外部客户预计2025年上半年完成流片。

2025年3月以来,英特尔新任首席执行官陈立武深入了解18A节点进展。4月英特尔代工大会上,宣布Intel 18A制程节点进入风险试产阶段,今年内将正式量产。英特尔代工的生态系统合作伙伴为Intel 18A提供EDA支持、参考流程和知识产权许可,方便客户基于该节点进行产品设计。
美国科技网站Wccftech报道,英特尔18A节点开发进展迅速,目前良率位居第二。截至报告发布时,Intel 18A制程良率为55%,高于三星2nm制程。
值得注意的是,这一良率较上一季的50%有显著提升,表明英特尔在制程优化和缺陷减少方面成效显著。报告预计,通过持续优化和减少缺陷,英特尔有望将Intel 18A制程良率提升至65% - 75%。若能实现,其良率将全面超越三星。
制造方面,英特尔亚利桑那州的Fab 52工厂已成功完成Intel 18A流片,首批晶圆试产成功,展示了其在先进制程制造上的进展。Intel 18A节点大规模量产将先在俄勒冈州晶圆厂实现,亚利桑那州制造预计今年晚些时候进入量产爬坡阶段。
三星电子宣布,基于2nm工艺的旗舰处理器Exynos 2600将于2025年5月进入原型量产阶段,计划搭载于下一代旗舰手机Galaxy S26系列。三星还规划了SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等多个2nm工艺节点,分别针对高性能计算、AI、汽车电子等领域,布局具有前瞻性。但目前三星2nm先进制程良率是短板。
与台积电、英特尔相比,三星代号SF2的2nm制程技术良率提升不明显,约为40%,远低于英特尔和台积电。
韩国媒体消息,三星下一代2nm节点制程预计2027年推出。为保持在先进制程领域竞争力,三星需在此之前大幅提升良率,这对其挑战巨大。因为它不仅要解决当前技术瓶颈,还需加速EUV相关产能建设与良率优化,才有可能赶上台积电和英特尔。
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