Wolfspeed推出顶部散热封装的SiC MOSFET/SBD新品

电子发烧友网综合报道，近期Wolfspeed的破产消息在业界引起了不小的震动。尽管在资本层面面临困境，但Wolfspeed目前的业务仍在正常推进。本周，Wolfspeed推出了新型的顶部散热封装碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品。通过顶部散热（TSC）封装，能够显著提高系统功率密度和效率，同时优化热管理性能，并增强电路板布局的灵活性。

此次新推出的U2系列产品全部采用顶部散热封装，提供650 V至1200 V多种电压选择，适用于电动汽车车载充电机及快速充电基础设施、电动汽车与工业暖通空调（HVAC）电机驱动、高电压DC/DC转换器、太阳能及储能系统、工业电机驱动、工业电源等众多应用领域。

U2系列提供符合JEDEC与AEC - Q101标准车规应用认证的选项，具有低剖面、表面贴装设计；顶部散热，热阻（Rth）低；碳化硅（SiC）MOSFET电压范围为750 V至1200 V；碳化硅（SiC）肖特基二极管计划覆盖650 V至1200 V。

U2系列的优势包括SiC顶部散热（TSC）封装中最大的爬电距离；通过优化PCB布局实现更高系统功率密度；表面贴装设计支持大规模量产。

顶部散热封装优势？

大多数标准表面贴装分立功率半导体器件通过底部与PCB直接接触来散热，依靠安装在PCB下方的散热器或冷却板。这种散热方式在各类电力电子场景中广泛应用，特别是在PCB安装空间和散热器重量不受限制的应用中较为常见。

相比之下，顶部散热（TSC）器件通过封装顶部散热。在顶部散热（TSC）封装内部，芯片倒装布置于封装上层，使热量能直接传导至顶部表面。这类器件非常适合汽车及电动交通系统等高性能应用场景，这些领域对高功率密度、先进热管理方案和小型化封装有严格要求。在这些应用中，顶部散热（TSC）器件通过实现最大功率耗散并优化热性能，有效满足了系统的冷却需求。

来源：wolfspeed

顶部散热（TSC）设计还实现了PCB的双面利用，因为底板表面无需为散热器预留接口。将散热器从热路径中移除，不仅显著降低了系统整体热阻，还支持自动化组装工艺，这一优势可大幅提高生产效率，从而打造出更具成本效益的解决方案。

提供评估平台和电机驱动参考设计

Wolfspeed提供的SpeedVal Kit模块化评估平台为工程师提供了一套灵活的构建模块，可在实际工作点对系统性能进行电路内评估，从而加速从硅器件向碳化硅（SiC）的转型过渡。最新发布的三相评估主板不仅支持高功率静态负载测试，更能为先进电机控制固件的开发提供基础平台。

同时针对U2系列的器件，Wolfspeed即将推出13 kW电机驱动参考设计，该设计为车厢、电池及电子设备提供全面的热管理解决方案。通过采用SiC技术优化HVAC系统效率和温控范围，系统设计人员可实现15分钟内完成快速充电，并延长车辆单次充电续航里程（全生命周期有效）。基于Wolfspeed最新CRD - 13DA12N - U2 13 kW HVAC参考设计，碳化硅技术带来诸多优势，包括延长单次充电续航里程、提升快速充电期间的可靠性、减小系统尺寸和降低环境噪音等。

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