在电动汽车时代，BCD技术成为关键

电子发烧友网综合报道。 伴随着汽车电气化的演变，BCD 过程在车辆半导体领域越来越重要。

BCD 即 Bipolar-CMOS-DMOS，顾名思义，这一过程就是双极晶体管。（Bipolar）、半导体金属氧化物（CMOS）、半导体金属氧化物双扩散（DMOS）三个装置集成在同一个芯片上。结合双极晶体管的高驱动能力，CMOS 高度集成和低功耗， DMOS 高电压大电流特性，可降低芯片面积，提高性能。

BCD 过程由意法半导体制成 1985 今年首次推出，当时的工艺节点是 4 μm，电压能力为 20V。在电子应用中，主要满足高性能模拟、电池管理和高电压能力的需要。到 2010 2008年，工艺节点达到 0.11 μm，电压力可以扩展到 满足高压应用需求的1200V。目前，意法半导体已推出 90nm，集成 eNVM 存储器，支持 3D 堆叠技术的 BCD 工艺。

另外，还有更多的制造商在推动。 BCD 技术的发展，如芯联集成化 BCD SOI 在新能源逆变器中，通过深管沟隔离清除锁定效应，获得新能源逆变器 1200V 抗压与 10MHz 与传统方案相比，高频驱动体积缩小 60%。

在 BCD 除工艺发展过程外， eNVM 此外，还引入了包括高精度电阻、电容器和电感在内的一些无源器件，不断提高模拟电路的性能。DMOS 该结构还经过多次改进迭代，实现了较高的电流强度和较低的导通电阻，从而提高了功率转换效率。

此外，SOI 技术也越来越多 BCD 工艺结合，BCD-SOI 通过深管沟隔离（DTI）提高抗干扰能力，适合高可靠性场景。

所以，从高电压、大电流、高级水平、高驱动能力等特点来看，BCD 工艺特别适合汽车电气化的需要。实际上，在传统的燃油汽车中，BCD 工艺便被用于 ECU 功率驱动和信号处理部分，支持燃油喷射、点火时间等功能，能满足发动机运行所需的高电压和大电流要求。

以及在变速箱控制模块中，BCD 工艺用于驱动变速器中的电磁阀和执行芯片，负责管理自动变速器的换挡逻辑，提供高电压和大电流的支持。

电动汽车中，BMS 它是电池系统的核心之一，BCD 工艺应用于 BMS 对电池组的高电压和大电流需求进行芯片处理，对电池状态进行监控和管理。

OBC 车载充电机的主要功能是交流DC转换，同样需要高电压、大电流的转换和控制，OBC 上面的功率驱动芯片，PMIC 等都要用到 BCD 工艺。

未来随着汽车电气化的发展趋势，BCD 进一步缩小工艺节点，将支持更高的电压和更多的电流，满足未来高压应用的需要。为提高集成度，BCD 传感器接口、通信模块、智能控制模块等行业也将集成更多的功能，实现更先进的系统集成，特别是在汽车电子和工业自动化领域。

BCD 该工艺以其高压集成、低功耗、高可靠性，已成为汽车芯片制造的关键技术。伴随着汽车芯片 800V 高压平台、智能底盘等新技术的普及，BCD 该技术将继续突破汽车规级功率器件、嵌入式存储和多域控制器领域，推动汽车电子向更高的集成度和更低的成本发展。

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