国内氮化邈大厂爆雷：曾计划投资50亿元，年产晶圆36万片。

05-23 12:26

电子爱好者综合报道 5 月 8 日前，重庆市第五中级人民法院最新信息显示，聚力成半导体已被广东中国保安服务有限公司申请破产清算。但一个月前，该企业以“不能清偿到期债务，具有重组价值”为由，申请了聚力成半导体的破产重组。

聚力成半导体最初由重庆捷舜科技有限公司投资成立，并于 2018 年 9 每月与重庆大足区政府签订合同，启动外延片和芯片生产线项目，主要业务为硅基氮化邈 / 碳化硅基氮化邈外延片、功率器件晶圆代工、封装等。

该公司位于重庆大足区，一期硅基氮化邈 ( GaN-on-Si ) 外延片厂，此前据报道已进入大规模生产阶段。项目总体规划建成年产能 12 氮化邈外延片生产线万片，年产能及 36 万片氮化邈芯片生产及封测生产线，总投资约为 50 亿人民币。

据官方微信官方账号消息，聚力成半导体有限公司是大陆注册的第三代半导体公司。 2018 年 9 月份，团队由经验丰富的华籍专家组成，多为著名的半导体公司。选择行业内先进的三五族半导体技术，专注于整合R&D和制造商的设计和制造商的商业模式。依托先进的氮化钒外延技术、领先的氮化鲟芯片设计能力、高质量完整的晶圆加工和封装测试供应链战略合作系统以及强大的应用整合能力，我们努力打造第三代半导体新功率平台，帮助实现中国第三代半导体自主可控的宏伟蓝图，加快电力电子领域的高速革命。

根据招聘平台的信息，聚力成半导体在电力电子领域得到了发展 6 英尺 650V/100V 硅基氮化镓 ( GaN-on-Si ) 实现外延片技术能力， 650V/15A 在微波射频领域，聚力成半导体同样具有研发碳化硅基氮化鲟功率装置的生产工艺； ( GaN-on-SiC ) 延伸材料的技术能力，R&D团队在R&D拥有多年丰富的射频芯片生产技术经验，未来的产品将定位于射频通信和射频能量市场。

在 2021 2008年，聚力成半导体表明，实测了其生产的氮化邈功率器件，达到了效率基于数据的95.8% 65W 快速充电路演示板在满载时测量，这一数据代表着聚力成氮化邈器件将电源消耗减少近 60%，能效水平大幅提高。

2021 年 11 月，聚力成半导体出现在中国电力学会第24届学术年会上。展出的产品技术平台包括功率利用 100-700V 硅基氮化钒外延技术平台（AlGaN 型及 pGaN 类型)，用于射频 100-700V 外延平台硅基氮化邈，650V 50-400mR D-mode GaN HEMT 芯片和器件代工平台 150V E-mode GaN HEMT 芯片和器件代工平台。

据公开信息，聚力成半导体已完成三轮融资，投资者包括盐城国智、SAIC投资、阿里云锋基金、赛伯乐投资等。

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