150,000车型还可以拥有SiC车规！2025年慕展6家厂商新产品亮点大揭秘

04-20 06:30

电子爱好者网报道(文章 / 章鹰）4 月 15 日本，慕尼黑上海电子展盛大开幕。国内外的工程师、供应商和观众纷纷进入博物馆，人潮汹涌。现在 N4 和 N5 馆内，近 40 家族企业各自展示汽车 MCU 芯片、车规 SiC 芯片，氮化邈芯片，车载 BMS 芯片，电源芯片等。

车规级 SiC 为什么这么受欢迎？业内人士告诉电子爱好者，在比亚迪、长安汽车、吉利、上汽、问界等多家汽车公司的带领下，SiC 加快上车速度。未来 5 年 SiC 行业渗透率可能从现在开始。 10% 至 20% 提高到 50% 以上。

从今年开始，除了标准 SiC 纯电动汽车主驱逆变器 800V 随着车型的增加，引入碳化硅的混合动力车型趋势开始显现。上汽五菱发布的灵犀动力 3.0 进一步推动碳化硅电驱动 SiC 技术在 15 万以下车型应用广泛。Techinsights 最新报告显示，SiC 汽车碳化硅预测以其高效、紧凑的设计和较低的成本改变功率半导体产业， 2025 年度市场规模将达到 20 超过1亿美元。

本文将汇集英飞凌、华润微电子、三安半导体、扬杰科技、方正微电子、深圳爱仕特新产品在慕尼黑上海电子展上的展示，为大家分析最新的产品趋势和汽车应用热点。

英飞凌展出 8 英尺碳化硅晶圆及先进设备

图：英飞凌 12 寸超薄硅晶圆电子爱好者拍摄

在 N5 在博物馆的入口处，记者看到了英飞凌的展位。英飞凌展出了世界上最先进的展位。 12 寸超薄硅晶圆，8 英尺碳化硅晶圆和 12 第一次出现在中国市场的三大晶圆是英尺氮化邈晶圆。现场工作人员表示，这是业内第一个。 20 超薄硅晶圆微米，晶圆越薄，消耗越小，通过超薄晶圆，减少了装置的消耗。

图片：英飞凌两个碳化硅功率模块电子爱好者拍摄

现场，英飞凌展示 CoolSiC MOSFET 2000V 60A Boost 使用模块和光伏 1200V CoolSiC EasyPACK 1B Boost 功率模块。前者选用 2000V SiC MOSFET 的 4 路 1500V 太阳能系统升压电路，DF-4-19MR20W3M1HF_B11 这是首选 EasyPack 3B 封装的 2000V 功率模块，实现更简单的解决方案，减少设备数量，提高功率密度，降低功率密度 1500V VDC 使用的总系统成本。后一种选择是选择 M1H 芯片，导通电子 8-17 五个规格的毫欧。工作人员说，随之而来 SiC 大规模应用设备，SiC 车辆主驱逆变器模块的系统成本总体趋势正在下降。

华润微电子：高压和中低压 SiC MOS 产品丰富，车规级 SiC 批量供应模块

在慕展 N4 博物馆，华润微电子为汽车主驱动带来的 1200V 450A/600A 的半桥 DCM、全桥 HPD 共有四个主要模块等最新产品，充分突出其技术优势。

图片：华润微电子 1200V SiC MOSFET 电子爱好者拍摄

以 1200V/66A SiC MOSFET 例如，该产品基于第二代汽车的完善量产规则。 SiC MOS 平台，具有 SiC 低导通消耗、耐高温特性及设备 DCM、HPD 优良的性能，如模块高功率密度，高系统效率。

据报道，华润微电子 SiC MOS G2 比导通电阻（Ronsp）达到国际领先品牌主要产品水平，SiC JBS G3 实现了国际领先的功率密度水平，得到了客户的高度认可。车规级 SiC MOS 和 SiC 模块化研发工作进展顺利，多种单管、半桥、全桥车型产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。

三安半导体：8 英尺 SiC 衬底量产，车规级 SiC MOSFET 批量出货

三安半导体展在慕尼黑上海电子展上展出。 650V-2000V SiC MOSFET 商品序列，主要用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器和光伏逆变器 UPS 等领域。三安产品的优势主要表现在第二代。 SiC MOSFET 该产品具有抗干扰性高、可靠性高、反向漏电流低、弥勒电容低、高温导通电阻低等优点。有些型号已经通过了。 AEC-Q101 汽车规级认证。

现场工作人员介绍，2024 年三安半导体 8 英尺 SiC 公司推出的第二代衬底已小批量出货， SiC MOSFET 产品，驱动电压适配 15V/18V，Ronsp 效率更低，效率更高。三安车载充电机、压缩机用于汽车规级市场 SiC MOSFET 已经实现了小批量出货，主驱逆变器 SiC MOSFET 已经进入重点新能源汽车客户导入可靠性验证。

方正微电子：比肩国际产品特性，车辆规格等级 SiC MOS 货物加速上车

4 月 15 日本，方正微电子携带 G1/G2/G3 三代车规碳化硅晶圆，衬底，裸体 die、设备及模块展示。现场展台，G1 SiC MOS 1200V 系列、G2 SiC MOS 1200V 系列、G2 750VSiC MOS 系列，G3 SiC MOS 展示所有产品。

方正微正式发布了第二代车规主驱。 SiC MOS 1200V 13m Ω 商品，性能达到国际领先地位。第二代方正微电子车规主驱主驱。 SiC MOS 进一步提高性能，缩小性能，在第一代高可靠性的基础上， Die size，提高 FOM 在行业主流芯片面积需求环境下，价值完成了性能提升。方正微在光储充领域得到了展示。 SiC MOS 单管和模块，和 SiC SBD 解决方案。具体包括了 SiC MOS 1200V EASY2B 功率模组，SiC MOS 1200V 单管设备系列，SiC MOS 750V/650V 单管系列设备等。

方正微电子表示，2025 2008年，公司将实现车规 SiC MOS 大型乘用车主驱，从数万辆向数十万辆迈进。

爱仕特技：发布 SiC4.0 技术平台，1700V 车规级 SiC MOS 支持 1000V 平台

在 N4 博物馆，记者走访了爱仕特展台，这家深圳公司采用“碳化硅” 4.0 以技术平台为核心，携带 1200V/10m Ω SiC MOSFET、1700V/16m Ω SiC MOSFET、1200V/1000A SiC 三大功率模块“战略新产品”亮相展览。

图：爱仕特 1200V 到 1700V SiC MOS 展示电子爱好者拍摄

爱仕特科技品牌总监姚培俊告诉电子爱好者记者，该公司推出的第四代碳化硅技术平台以极高的抗压能力、极低的损耗和高效的驱动兼容性为核心突破，1700V/16m。 Ω SiC MOSFET 是第四代 SiC MOS 平台技术，适应 15V 和 18V 驱动电压，同等电压等级导通电阻降低，兼顾高抗压和低损耗，变成 1000V 优化平台、充电桩应用领域。1200V SiC MOSFET 然后，单个芯片导通电阻低至 10 m Ω，适用于 800V 1200V/1000A新能源平台 SiC 高电流强度设计支持功率模块， -40 ℃至 175 ℃宽温域运行，可以帮助大功率系统进行轻量化和高效化。

目前，爱仕特已与国内新能源汽车龙头企业合作，对汽车进行了规范。 SiC 进口产品的可靠性验证。

扬杰科技：SiC MOSFET 适用于车载和光伏逆变器

在 N4 博物馆、扬杰科技依托实体新能源汽车，集中呈现。 IGBT 模块、SiC MOSFET 在 OBC、DC/DC、BMS、EPS、电动机驱动等场景的应用。

图片：扬杰科技 IGBT 和 SiC 商品展示电子爱好者拍摄

目前国内现场工作人员， 400V 主要采用新能源汽车 IGBT 以模块为主驱逆变器，扬杰科技展示 A4P IGBT 模块化，800A-950A/750V，产品具有低开关损耗，低电感设计，最大结温工作 175 度数，高功率密度。

扬杰科技在光伏和储能领域展示了它。 1200V/160A 三电平 IGBT 模块和 950V/600A 下一代三电平模块，适用于大型光伏逆变器和储能变流器。 SiC MOSFET 采用低 Ronsp 设计，可以显著减少开关损耗，帮助提高光储系统的效率 98% 以上。

扬杰科技 IGBT，MOSFET、ESD、TVS 其他商品可用于小型关节电机、步进电机等电机驱动和感知系统，以支持更高的控制精度和更快的响应速度，并且可以 DC/DC 转换、USB 在接口保护、电源保护等电路中起着关键作用。

写在最后

车载 SiC 在全球阵营中，英飞凌，ST、TI 等待第一梯队，随着中国功率半导体制造商的涌入，SiC MOSFET 价格下跌，国内价格下跌， 7 家族企业相继宣布 SiC 主力突破，甜美半导体，士兰微，芯联集成，斯达半导体，芯聚能，方正微电子，比亚迪半导体，我相信未来会有更多的国产功率半导体制造商进入车辆规定 SiC 供应商团队。

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