千亿美元打水漂，传三星撤销1.4nm晶圆代工工艺

03-24 06:30

据多方消息来源推断，电子发烧友网综合报道，三星电子可能取消计划 2027 年量产的 1.4nm（FS1.4)晶圆代工工艺。三星在 " Samsung Foundry Forum 2022 " 最后第一次公开 SF1.4（1.4nm 等级)工艺，原估算 2027 实现年度量产。根据当时三星的说法，SF1.4 从纳米片的数量来看 3 个增加到 4 个，有望显著提高芯片在性能和功耗方面的表现。

目前，三星在先进制程领域面临着困难和障碍。三星 SF3(SF3)GAA 工艺自 2023 到目前为止，由于良率没有达到预期，到目前为止还没有得到大客户的订单。这种情况导致计划配备第二代。 3nm 的 Exynos 2500 推迟芯片推出，Galaxy S25 该系列还全线改用高通骁龙 8 u200c至尊版芯片。这种情况让三星前期的高投入几乎浪费了。据估计，三星在整个过程中。 3nm 在项目中，投资高达共同投资 1160 亿美金 ( 约合人民币 8420 亿 ) 。

类似地，2nm(SF2)工艺的良率表现也不理想，初期量产良率仅为 30%，远低于同期台积电 60% 另外，英特尔水平。 18A 该工艺在良率方面表现较好，进一步加剧了三星在尖端工艺上的竞争劣势。

目前，2nm 过程仍然是三星攻克的重点方向。三星 2nm 采用全围栅极技术（GAA）晶体管技术旨在提高电力传输效率，减少信号干扰，从而提高芯片性能和能效。其量产计划如下：

2025 年：启动 2nm 工艺量产，初期重点面向移动终端(例如 Galaxy S26 系列 Exynos 2600 芯片）。

2026 年度：将应用领域扩展到高性能计算（HPC）领域，争取 AI 芯片订单。

2027 年：进入汽车芯片市场，推出特殊技术 SF2Z。

GAA 曾经被三星视为超越台积电的核心技术。它的通道形式来自 FinFET 的垂直 "鳍片" 纳米片转换成水平堆叠。（Nanosheet）或纳米线（Nanowire），栅极材料(如高介电常数金属栅)从四周完全包裹通道，显著提高了对电流的控制能力。与此同时，漏电极与源电极之间的通道被栅极完全是 “锁定”，大大降低了漏电流(比较 FinFET 降低 50% 以上）。

三星是第一个将军 GAA 商业技术制造商，它 MBCFET 最初应用于技术 3nm 通过调整纳米片的总宽度(15) - 为了满足不同的性能要求，50nm。不过，不幸的是，三星 3nm 过程的良率真的太低了。

所以，三星的 2nm 技术不仅要与台积电争夺顾客，还要清除顾客， 3nm 过程带来的负面影响。据悉，三星 2nm 日本已经获得了工艺 AI 公司 Preferred Networks（PFN）第一次从台积电手中订单 “抢食”，并计划为高通、苹果等用户提供试产服务。2025 年 3 月亮，三星花钱 5000 亿韩元（约 3.8 1亿美元)在华城半导体园区部署 ASML 的 High - NA EUV 光刻机(型号) EXE:5000)，这是世界上第一台大规模生产的高数值孔径极紫外光刻机，将显著改善 2nm 以及下列工艺精度。

三星的 2nm 战略以 GAA 以科技为核心，通过激进的量产时间表和定价策略来争夺市场，但是提高良率和精确的客户信任仍然是根本。假如三星可以在那里 2025 年量产 2nm 在此之前，将工艺良率提高到 50% 上面，那么在亚 2nm 也许三星在工艺领域还有一席之地。否则，继续投入巨额资金研发 1.4nm 过程的意义已经不大了。

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