低功耗LPDDR5M正在开发SK海力士。：能效提升8%

快科技 2 月 28 日消息，SK 海力士正致力于开发新一代低功耗内存 LPDDR5M，它的数据传输速率和现有的 LPDDR5T 相同，均是 9.6Gbps，但是在能效方面有了显著的提高。

LPDDR5M 工作电压从 1.01-1.12V 降到 0.98V，能效提高了 8%。这种技术突破有望在设备端广泛应用于设备端。 AI 智能手机的功能，进而在本地运行密集型操作时消耗更少的电力，从而满足设备制造商对高效、低功耗的需求。业内人士推断，SK 在今年内，海力士将尽快推出。 LPDDR5M 商品。

与此同时，SK 高带宽内存的海力士（HBM）该领域的研究与开发也取得了重要进展。现在，SK 海力士已经进入 12 层堆叠 HBM4 在试产阶段，良品率从去年年底开始 60% 提升至 70%。

这个进展得益于它的使用。 1 β（b）nm（第五代 10nm 等级)工艺制造 DRAM 芯片，该工艺在性能和稳定性方面得到了充分的验证，同样应用于同样的工艺。 HBM3E 在产品生产中。

根据计划，SK 海力士将在 2025 年 6 月亮提供给英伟达 HBM4 样品，以支持它 Rubin 结构产品需求。另外，SK 预计海力士将在今年下半年推出首批 12 层堆叠的 HBM4 商品，并于 2025 2008年第三季度进入全面供应阶段，进一步巩固其在高端内存市场的领先水平。

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