2025年下半年！三星将利用中国存储专利技术生产芯片

快科技 2 月 27 据国外媒体最新消息，三星将于今年下半年开始利用中国存储专利技术生产相应的芯片。

近日，三星电子已与中国存储芯片制造商长江存储签约开发堆叠。 400 多层 NAND Flash 专利许可协议需要“混合键合”技术。

据内部人士介绍，三星计划于 2025 每年年底量产下一代 V10 NAND，特别是在“混合键合”技术方面，将采用长江存储的专利技术。

三星之所以选择向长江存储获得“混合健合”专利授权，主要是因为长江存储在“混合键合”技术上处于世界领先地位。而且，经过评估，三星认为自己来自下一代。 V10 NAND 起初，它已不能再防止长江存储专利的影响。

对中国的存储业来说，这的确是一个令人兴奋的消息，毕竟大家从落后到赶超，这也从侧面反映了中国科技自主创新的效果。

本文仅代表作者观点，版权归原创者所有，如需转载请在文中注明来源及作者名字。

免责声明：本文系转载编辑文章，仅作分享之用。如分享内容、图片侵犯到您的版权或非授权发布，请及时与我们联系进行审核处理或删除，您可以发送材料至邮箱：service@tojoy.com