英特尔官网更新Intel 18A工艺信息：已经为客户项目做好充分准备

最近英特尔在那里 ISSCC 2025 上面，介绍了备受期待的内容。 Intel 18A 工艺技术，其中强调 SRAM 大幅度改善密度。根据英特尔的说法，SRAM 位置单元的大小将在 Intel 3 工艺的 0.03 μ m ² 缩小到 Intel 18A 工艺的 0.023 μ m ²，HDC 同时也表现出类似的改进，缩小到 0.021 µ m ²。相比之下，台积电（TSMC）N5、N3B 和 N2 工艺的 SRAM 位置模块的大小分别是 0.021 µ m ²、0.0199 μ m ² 和 0.0175 μ m ²。

最近英特尔官网更新了 Intel 18A 工艺信息，并发布了一条消息：“ Intel 18A 目前已为客户项目做好充分准备， 2025 今年上半年开始流片，如果您想了解更多信息，请联系我们。

对英特尔来说，Intel 18A 技术将成为其先进半导体技术研发的转折点。除了 SRAM 密度能赶上台积电，提高每瓦性能。 芯片密度比强度高15% 6 采用Cpu系列 Intel 3 工艺提升了 30%。与此同时，英特尔融合了 GAA 另外，还引入了晶体管架构。 PowerVia 英特尔处理Cpu逻辑区域电压下降和影响的首选方法是背部供电技术。

现在已经知道英特尔在那里 Intel 18A 工艺品的主要产品有 Panther Lake（AI PC 客户端处理器)和 Clearwater Forest(服务器处理器)，外部代工客户包括亚马逊 AWS 和微软 Azure，英特尔将为客户制造内部定制芯片。另外，博通正在探索基于此。 Intel 18A 工艺设计。

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