发誓要拿下HBM订单！三星级半导体高层浏览NVIDIA：展示改进样品

快科技 2 月 18 据韩国媒体报道，日消息，三星级电子半导体部门（DS）全永铉负责人（Young Hyun Jun）上个星期，我亲自去了美国英伟达总部，展示了三星最新的改进 1b DRAM 样品。

英伟达曾在 2024 三星每年都要求改进 1b DRAM 为了缓解良品率和过热问题，这次全永铉展示的样品正是基于英伟达的需要而进行的改进。

一般情况下，三星 DS 部门领导亲自向客户展示样品的情况比较少见，这也说明了这次浏览的重要性。

原本计划使用三星 1a DRAM（1b DRAM 制造前代产品) 8 层和 12 层 HBM3E，并绕过 1b DRAM 直接用 1c DRAM 制造 HBM4。

不过，英伟达坚持要求使用。 1b DRAM，目前三星的竞争对手三星必须重新调整计划。 SK 海力士已经向英伟达提供了 12 层 HBM3E，美光也预计最近开始面向生产 AI 加速器的 HBM。

上个月，三星表示他的改良版 HBM3E 准备工作进展顺利，并计划于今年第二季度正式量产供应，作为全永铉， DRAM 这一领域的专家，领先 1b DRAM 改进设计工作。

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