报道称，三星芯片部领导携1b领导。 英伟达达DRAM样品浏览

IT 世家 2 月 18 日消息，据 TheElec 报道称，三星芯片部负责人上周亲自前往美国英伟达总部浏览。此次浏览的目的是向英伟达展示三星最新研发的产品。 1b DRAM 芯片样品，主要用于高带宽内存。（HBM）。

据消息人士透露，去年，英伟达要求三星改善他们。 1b DRAM 的设计，这次展示的样品是基于英伟达的需要而改进的。。一般而言，三星设备解决方案（DS）部门负责人亲自向客户展示样品的情况比较少见。

IT 家里人注意到，三星去年曾计划使用它。 1b DRAM 生产 HBM，但是遇到了良品率和过热问题。该 DRAM 属于第五代 10 纳米产品，主要用于 HBM3E。由于上述问题，三星曾计划改用。 1a DRAM（1b DRAM 生产前代产品) HBM3E 8H 和 计划绕过12H 1b DRAM，直接用 1c DRAM 生产 HBM4。但是，因为英伟达坚持要求使用。 1b DRAM，三星不得不重新调整计划。这次三星副董事长兼 DS 部门领导 Young Hyun Jun 的访问，也许是为了保证三星能赢得英伟达。 HBM3E 订单。

现在，三星的竞争对手 SK 海力士已经为英伟达提供了选择。 1b DRAM 制造的 HBM3E 12H，美光也预计近期将开始生产人工智能加速器，以满足英伟达的需求。 HBM。

上个月，三星曾经说过他的“改进版” HBM3E 准备工作进展顺利，并计划于今年第二季度正式量产供货。Young Hyun Jun 不仅是 DS 该部门的负责人，也是该部门下属的内存业务负责人，他是该部门的负责人。 DRAM 这一领域的专家，被视为领导者 1b DRAM 改进设计工作。

在 1 月份的 CES 英伟达CEO黄仁勋在展会上表示，三星需要重新设计它。 HBM，通过英伟达的资格认证。

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