这种新型部件或重塑当前系统，灯源效率有望提高10倍

下面的文章来源于科创板日报 ，作者张真

科创板日报.

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虽然目前最先进的光刻机已经可以用来生产2nm芯片，但科学家们仍在不断探索，以进一步提高光刻机的综合性能，用来产生光源的激光器将成为下一个突破。

最近，根据Tom's 据Hardware报道，美国实验室正在开发一种大孔径(10^15瓦特)级别的拍瓦(一种功率单位)（BAT）激光。据报道，这个激光器有一个极紫外线雕刻。（EUV）在目前的EUV工具中，灯源效率可以提高约10倍的能力，或者有望取代二氧化碳激光器。

事实上，这个消息最早可以追溯到上个月。当时，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）据新闻稿报道，由该机构牵头的研究机构旨在为极紫外线提供服务 (EUV) 下一次光刻技术的发展奠定了基础，其中关键在于它被称为BAT激光的驱动系统。

根据公开信息，LLNL是美国著名的国家实验室之一，最初成立于1952年，目前属于美国能源部的国家核安全局。（NNSA）。在半导体工业中，尖端激光、光学和等离子体物理研究在制造先进处理器的基础科学中发挥了重要作用。

LLNL表示，LLNL表示，对于这种仍在开发的新型BAT激光器，它可以以较低的能耗制造芯片，并且可能会催生下一代“超越EUV”的光刻系统，从而使系统生产的芯片“更小、更强”。

强大的BAT激光器的关键可能是它使用氟化锂作为增益介质。据报道，激光束的功率和强度可以通过这种介质增加。

"我们将在LLNL LLNL等离子体科学家杰克逊·威廉姆斯说：“建立第一台大功率、高重复率、大约2微米的激光器，”BAT 在高能密度物理和惯性聚变能领域，激光所实现的功能也将产生重大影响。

自诞生以来，半导体行业一直在努力将尽可能多的集成电路和其他功能集成到一个芯片中，使得每一代微控制器都变得更小更强。近年来，EUV 光刻技术处于领先水平，它由二氧化碳脉冲激光驱动，同时在先进芯片和Cpu上蚀刻小到几纳米的微电路。

但是LLNL目前的研究表明，BAT激光器的工作波长可以提高等离子体到EUV的转换效率。另外，BAT系统中使用的二极管泵浦固体技术可以提供更好的整体电气效率和热管理，而BAT系统中使用的二极管泵浦固体技术也可以提供更好的整体电气效率。这就是说，BAT技术在半导体生产中的实施有望降低大量的能耗。

据Tom's Hardware援引市场调研机构 根据TechInsights的数据，预计到2030年，半导体晶圆厂每年将消耗54000吉瓦。（GW）功率，超过新加坡或希腊的年消耗量。所以，预计半导体产业将寻找更加节能的技术，为未来的光刻系统增添动力。

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原题：“这个新的部件或者重塑现有的系统，光源效率有望提高10倍”

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