特斯拉希望使用HBM4进行自动驾驶，内存大厂加速HBM4进程。

电子爱好者网报道(文章 / 近日，据韩国媒体报道，黄晶晶已经向特斯拉报道。 SK 海力士和三星已经提交了 HBM4 购买意向，并要求两家公司提供通用性 HBM4 芯片样品。这次特斯拉想要购买通用的东西。 HBM4 芯片，是为了加强超级计算机 Dojo 的性能。Dojo 超级计算机是特斯拉开发和训练自动驾驶技术的重要工具，需要高存储带宽来处理大量数据和复杂的计算任务。据报道，特斯拉汽车目前主要配置 HBM2E 芯片。

而今年 10 月亮有消息说，SK 海力士在车辆内存领域取得了显著进展，已经向谷歌母公司迈进。 Alphabet 旗下自动驾驶企业 Waymo 独家供应车辆规级 HBM2E 内存。而且 SK 海力士是目前市场上唯一能提供严格要求的公司。 AEC-Q 车规标准的 HBM 芯片制造商。SK 海力士是积极的 NVIDIA、Tesla 等待自动驾驶领域解决方案巨头的合作 HBM 的应用从 AI 将数据中心扩展到智能汽车市场。

除特斯拉通用购买外，通用购买。 HBM4 除了三星电子和芯片， SK 海力士仍然是谷歌，Meta 美国大型科技公司，如微软，开发定制 HBM4 芯片。可以看出，这些科技巨头正在推动不同领域的发展。 HBM4 芯片业务进展。

目前，内存制造商也在积极进行 HBM4 芯片开发。SK 明年下半年海力士计划量产 12 层 核心芯片选择HBM4 1b DRAM，台积电同时使用 5nm 工艺和 12nm 工艺量产逻辑芯片。也有报道称，SK 集团董事长崔泰源透露，英伟达 CEO 要求 SK 海力士将 HBM4 提前六个月的芯片供应。SK 海力士CEO说，这是有可能的。

同时，SK 海力士正在发展 16 层堆叠的 HBM4 存储器，并且计划在 2025 每年量产。使用台积电 5 创建纳米工艺 HBM4 基底芯片封装底部，并计划引入混合键合技术，以降低存储芯片堆叠间隙的高度，实现更多层数的堆叠。

另外，HBM4E 方面，SK 海力士正在发展 HBM4E 商品，计划于 2026 年度量产。依据 SK 海力士 HBM 封装路线图，公司将在 HBM4E 采用混合键合技术开始堆叠和接合 DRAM。

通过硅通孔电极混合键合 ( TSV ) 铜与铜的直接连接，不需要 HBM 现在使用的微凸块。不需要底部填充物。它不仅最大限度地减少了顶部和底部 DRAM 间隙，且无微凸块电阻，因此信号传输速度快，热管理效率高。

SK 据估计，海力士是有的 20 级别或更多级别第一 8 代 HBM " HBM5 “把它转换成一个完整的混合键合系统。此外，还提出了引入3D(3D)封装的概率。也就是说， HBM 如何堆放在Cpu上方，预计硅中介层、基板等封装部件将发生重大变化。

三星电子 HBM3E 认证也在进步，最新动态是英伟达 CEO 近日，黄仁勋表示，三星电子高带宽内存正在努力尽快进行。（ HBM）认证。英伟达正在考虑接受三星电子交付。 8 层和 12 层 HBM3E。

三星电子设备解决方案（DS）部门存储业务部副总裁 Kim Jae-jun “我们正在大规模生产，”第三季度业绩电话会议上说。 8 层和 12 层第五代 HBM3E，并且正是主要客户在完成质量测试过程中的重要一步，目前已经完成资格认证过程中的一个重要阶段，预计第四季度将开始扩大销售。

根据韩国媒体的报道，三星电子将于今年年底开始 HBM4 流片工作，HBM4 测试商品预计将于第一年发布，三星将验证最初制造的产品。 HBM4 在货物运行状态之后，继续进行设计和工艺改进，然后将货物送给主要用户。预计明年年底量产 12 层 HBM4 商品。从 HBM4 起初，三星电子计划的选择 10 纳米第 6 代（1c）DRAM，并使用其 4 量产纳米代工工艺逻辑芯片。所以，三星电子正准备向平泽发展。 P4 工厂引入 DRAM 处理设备，线路建设已经全面启动，目标是明年 6 每月投入使用，生产第六代 1c 制程 DRAM。

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