车规级碳化硅模块企业获亿元融资，加速AI算力基建布局 | 硬氪首发
作者|乔钰杰
编辑|袁斯来
硬氪消息，专注高性能SiC（碳化硅）模块的无锡利普思半导体有限公司（简称“利普思”）近期完成亿元PreB+轮融资，投资方为扬州国金与扬州龙投资本。此次融资资金将主要用于在扬州建设专业化车规级SiC模块封装测试基地及市场推广工作。
利普思成立于2019年，是一家聚焦第三代功率半导体SiC模块设计、生产与销售的硬科技企业。
功率半导体是电能转换控制的核心器件。相较于传统IGBT模块，SiC模块具备更高耐压、更低损耗、更高开关频率等优势，在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备及AI算力电源等高压高功率场景中效率优势显著。
近年来，随着上游衬底与外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代进程不断加速，SiC功率器件年复合增长率已超30%。
利普思创始人兼CEO丁烜明表示，公司的SiC模块在高温高压高电流复杂场景中的应用，已在头部电网设备企业、新能源重卡公司、头部变压器企业实现稳定量产，2026年将进一步拓展上述市场，与更多头部企业开展战略合作。
除汽车、光储充等新能源领域外，AI数据中心被认为是SiC应用的下一个重要增长领域。随着算力需求激增，数据中心对供配电效率和空间利用率的要求日益提高。基于SiC器件的固态变压器（SST）是实现高压直流架构的核心设备，能显著提升能效并缩小体积，是未来电力架构升级的主流方向之一。目前，利普思1200V-3300V多款SiC模块已在多家国内外知名客户的SST中完成样品测试，部分项目处于可靠性验证阶段，预计2027年前后有望实现可观放量。
市场方面，海外市场已成为利普思的重要增长动力。公司2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以增强本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口至20多个国家，2025年海外销售占比已接近一半。
自成立起，利普思就将技术创新作为核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，建立了较强的SiC模块自主正向设计能力与体系。作为国内较早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，利普思与供应商联合定制高散热绝缘基板材料及工艺，在封装结构上引入ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块杂散电感、提升功率密度与散热能力。应用层面，公司掌握SiC模组高度集成能力，擅长高压高温高电流等复杂场景的应用。
利普思在无锡设有先进的可靠性实验室、FA实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并通过汽车IATF16949质量体系认证。目前公司产品涵盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。
本轮融资后，资金将主要用于在扬州布局多条车规级SiC模块自动化封装测试产线。该项目总投资10亿元，规划年产能300万只模块，一期产线预计2026年竣工，2027年3月正式投产。
丁烜明介绍，与现有产线相比，扬州工厂将围绕“专业化车规级”标准升级：一是按高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计2027年，扬州工厂将具备交付超200万只模块的能力，助力利普思加速布局电网与AI算力基建领域。
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