传闻英伟达自研HBM基础裸片

2025-08-22

电子发烧友网综合报道，据台媒消息，有传闻称英伟达已着手开发自己的HBM基础裸片。预计英伟达自研的HBM基础裸片会采用3nm工艺制造，计划于2027年下半年进行小批量试产，这一时间点大致对应“Rubin”后的下一代AI GPU “Feynman”。

有分析认为，英伟达此举或许是要将部分GPU功能集成到基础裸片中，目的是提高HBM和GPU的整体性能。并且英伟达会把UCIe接口集成到HBM4中，以实现GPU和CPU的直接连接。

英伟达可能会在2027年上半年先采用SK海力士供应的标准HBM4E，之后在2027年下半年至2028年期间过渡到自己定制的HBM4E设计。

英伟达未来的HBM内存供应链会采用内存原厂DRAM Die + 英伟达Base Die的组合模式。英伟达自研Base Die有助于增强其对HBM内存的议价能力，便于向Base Die导入一系列高级功能，还能为采用NVLink Fusion IP的第三方ASIC提供更多模块化组合。

2025年1月初，三星DS部门存储业务部宣布成功设计出第六代高带宽内存（HBM4）的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈底部，是控制HBM芯片的核心组件。三星电子计划采用先进的4nm工艺进行技术升级，从逻辑芯片的设计阶段就开始寻求优化，通过其无晶圆厂系统LSI部门最大限度提高HBM4芯片的性能。

今年4月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产以及加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术展开密切合作。双方合作开发第六代HBM产品，即HBM4，其中台积电负责生产基础裸片（Base Die）。

日前，美光高管表示，定制HBM内存将在HBM4后的HBM4E时代正式落地。从HBM4开始，HBM4内存基础芯片Base Die采用逻辑CMOS制程，现阶段该芯片主要包含内存接口IP；而在HBM4E世代，一些客户希望将AI xPU的特定功能电路卸载到HBM的Base Die中，提升xPU的芯片面积利用率，所以需要定制HBM内存。

韩国SK海力士高管近日表示，受益于人工智能需求的爆发，公司预测到2030年HBM（高带宽内存）芯片市场将以每年30%的速度增长，定制化HBM市场规模有望达到数百亿美元。客户对定制化的需求日益增长，部分客户要求特定性能或功耗特性。目前，英伟达等大客户已接受深度定制，小客户仍采用标准化产品，这种差异化策略是SK海力士保持市场竞争力的重要因素。

亚马逊、微软、Alphabet等云计算公司已提出数十亿美元的AI资本支出计划，且未来可能进一步上调，这对HBM市场形成直接利好。Counterpoint分析指出，包括英伟达、亚马逊、微软、博通和美满电子在内，已有七到八家IT厂商在推动HBM定制，预计到2026年HBM4亮相时，定制HBM市场将大幅扩张。例如美满电子与美光、三星和SK海力士合作，为下一代XPU定制HBM方案。

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