产业观察：跳级追先进制程不符代工思维

近期，英特尔 18A（1.8nm）工艺的消息不断。媒体报道称，英特尔正考虑调整晶圆代工策略，停止向新客户推销 18A，集中资源发展下一代 14A 工艺，以“跳级”方式追赶台积电更先进的工艺，相关策略最快 7 月在董事会讨论。

英特尔 18A 良率近期有进展，从上一季度的 50%提升至 55%，高于三星 2nm 工艺（约 40%），但低于台积电 2nm 工艺（约 65%）。这让英特尔内部担心其对新客户吸引力不足，所以考虑对新代工客户跳过 18A 制造工艺，把更多资源投入下一代芯片制造工艺 14A，英特尔预计该工艺比台积电更具优势。

然而，这种做法与晶圆代工厂思维不符。晶圆代工行业核心宗旨是“以用户为中心”，用户需要什么工艺，代工厂就提供什么。一家良性运转的晶圆代工厂，工艺平台不一定最先进，但要贴近用户需求。它应拥有丰富工艺平台，如先进逻辑工艺、特色工艺、定制化工艺等；能提供设计与技术协同服务，像工艺设计套件，PDK 需支持主流 EDA 工具等；有丰富 IP 库；还能提供设计咨询和技术支持，解决客户设计阶段的工艺相关问题。

对晶圆代工厂来说，良率是核心要素。业界量产线良率一般要达 70%，达不到这个水平，客户很难放心选择。跳级追赶先进工艺，虽工艺节点超前一步，但结果有很多不确定性，最直接表现就是良率不达标。

对英特尔而言，18A 同时引入 RibbonFET 晶体管架构（取代 FinFET）和 PowerVia 背面供电技术，都是颠覆性创新。目前 18A 良率从 10%升至 55%，仍落后于台积电 N2 的 65%。未来 14A 量产时，问题复杂度可能更高。暂缓承接 18A 外部订单，只服务英特尔内部产品，把外部代工押注于下一代 14A 工艺，一方面可能错失当前高端市场窗口（目前规划 2027 年量产）；另一方面，会滞后英特尔生态建设，降低外部设计公司对其的适配意愿。

其实，三星以前也尝试过类似跳级追赶的做法。多年来，三星在 7nm、5nm、3nm 工艺上几乎都比台积电提前半年到 1 年推出，即便良率不高、用户不足也开启新进程。但受限于技术（如晶体管密度）和良率问题，在与台积电的竞争中，三星始终处于下风。苹果、英伟达、AMD、高通、联发科大多最终选择在台积电投片。

反观台积电，它并非一开始就占据全球最先进工艺宝座。2010 年代以前，在工艺制程上，台积电落后于英特尔等 IDM 大厂。但台积电没选择跳级追赶，而是逐个工艺结点推进，把工艺平台做扎实。

对于设计用户来说，只有少数会选择最先进工艺平台，AMD、博通等公司对 3nm、5nm、6nm 也有大量需求。全球代工市场对成熟工艺的需求同样巨大。从这方面看，以“跳级”方式追赶台积电更先进的工艺，不一定是最佳策略。英特尔若想深入代工行业，把工艺平台做深做透才是最佳方案。

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