历史上存储速度最快！复旦大学开发了快速闪存:未来计算机将没有内外存储的概念

快科技 4 月 17 日前，复旦大学宣布，时隔， 2 周，继二维半导体芯片之后，复旦集成电路领域又取得了重大突破。

据报道，通过建立准二维泊松模型，复旦大学周鹏和刘春森团队在理论上预测了超注入现象，打破了当前存储速度的理论极限，开发了“破晓”（PoX）"皮秒闪存装置。

它的擦写速度可以提高到亚亚 1 纳秒（400 皮秒)，相当于每秒可以执行。 25 亿次操作，性能超过同一技术节点下世界上最快的易失性存储。 SRAM 技术。

在《自然》杂志上发表了《亚纳秒超注入闪存》的相关成果。

据了解，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储系统，已经完成了相同的存储和处理速度，预计在完成大规模集成后将彻底颠覆现有的存储结构。

基于这项技术，未来的个人计算机不会有内存和外存的概念，不需要分层存储，也可以实现。 AI 本地部署大型模型。

团队将“破晓”与 CMOS 结合起来，从而创造出来 Kb 目前，级别芯片已经成功流片，下一步，计划是 3-5 每年将其整合到几十兆的水平，届时可以授权企业进行产业化。

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