HBM3E 内存竞赛升温：三星 4 月球进攻，美光已经领先一步。

IT 世家 4 月 10 日消息，韩媒 Sedaily 于 4 月 8 据报道，在美国新关税政策的不确定性下，存储巨头们并没有放缓步伐，取而代之的是加快竞争 HBM3E 市场。

IT 世家援引博文报道，三星调整 HBM3E 计划今年的产品设计 4 每月大规模向英伟达供应 8H 另一个韩国媒体版本。 EBN 透露，如果进展顺利，三星 12 层 HBM3E 有望 5 每月获得英伟达认证。

SK 长期以来，海力士一直独霸 HBM 市场，但美光正在奋起直追。另外一家韩媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已通过 12 层 HBM3E 验证，并开始交付，支持最新的英伟达 B300 商品。

这个媒体分析认为美光。 DRAM 尽管总产能不及格 SK 海力士，但是它 10nm-class 1b 先进技术占比较高。这样美光就能在产品质量上占优势，特别是 HBM 散热管理的关键工作表现突出。

另外，储存巨头也在加速推进。 HBM4 比赛。三星计划 2025 年实现 HBM4 量产，但其 10nm 1c DRAM 技术尚未成熟，目标充满挑战。

Business Korea 早些时候提到，美光估计 2026 年推出 HBM4，而 2025 生产于下半年 HBM 多为 12 层次商品。两大巨头在产品升级上各有布局，未来竞争将更加激烈。

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