三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 试验线，试图重新获得市场领先水平

IT 世家 12 月 19 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（12 月 18 日本)发布博文，报道称三星电子正在积极投资建设。 10 第七代纳米(1d)DRAM 试验线，旨在提高良率，扩大与竞争者的技术差距，并且努力在明年重新夺回 DRAM 市场领先水平。

据报道，今年第四季度，三星开始在平泽第二工厂(P2)建设 10 纳米第七代 DRAM 又称“测试线” one path "线。

测试线有望在这里 2025 年第 1 季度全面建成，用于检测新产品的量产潜力，提高良率。尽管平泽 10 纳米第七代 DRAM 工厂的确切规模尚未确定，但一般安装测试线每月可以处理。 10000 片晶圆。

IT 世家援引媒体报道，三星准备同步推进第七代 DRAM 第六代和第六代测试线的建设 DRAM 量产准备，计划从 2025 年初，平泽第四工厂(P4)引进设备，生产 10 纳米第六代 DRAM，并且争取到明年 5 每月获得内部量产许可（PRA）。

就人才配置而言，三星为了顺利推进 1c DRAM 大规模生产，还将派遣华城工厂 DRAM 有关人员前往平泽工厂。

这位媒体解释说，三星此举是一种积极的投资策略，正在经历 HBM 市场份额被 SK 海力士超越，以及 10 纳米第六代 DRAM 在发展速度落后的双重打击之后，三星正竭尽全力，希望通过提前布局下一代商品，在明年重新获得市场“霸主”地位。

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