AI推动HBM、LPDDR5畅旺，明年内存市场预测

2024-11-26

电子爱好者网报道(文章 / 日前黄晶晶)由 TrendForce 集邦咨询承办 MTS2025 在存储行业趋势研讨会上，集邦分析师提到 AI 促进存储甚至半导体产业。

集邦资深研究副总经理郭邈荣表示，AI 利用推动高效计算芯片需求发热已经持续了近两年，高算力应用已经成为先进工艺和晶圆代工行业的最大推动力。

自 2025 年起，除了 AI 芯片供应商和 CSPs 自主研发芯片，内存供应商也在争相寻找先进的晶圆代工合作伙伴，以满足高计算能力的需求；在区域竞争下，全球半导体格局发生了重大变化，无论是先进的工艺还是包装工艺，都将是未来取胜的关键。

另外，晶圆厂上下游配套设施 IP、已成为设计服务和封测生态 AI 必要的领域竞争资源。除了先进工艺的商机，Edge AI 能否为需求沉寂已久的成熟工艺注入新的活力，2025年一年一度的晶圆代工行业 Cloud AI 与 Edge AI 在发展的过程中，如何改变成关注焦点。

随着全球范围内服务器市场的改善，集邦咨询研究主管刘家豪认为， AI 云服务供应商服务器市场 ( CSPs ) 以及品牌经营者对 AI 随着基础设施需求的不断增加，估计 2025 年 AI 服务装置的出货量将持续上升至约 15%。

对于 AI 影响内存产业，TrendForce 集邦咨询高级研究副总裁吴雅婷结合供给方和需求方，以及明年的市场前景，进行了专业深入的分享。

供给端：HBM 是否会供大于求？

从 2024 年度内存市场生产位元增长 Production bit growth 从情况来看，预计明年三星的生产增长 14%，SK 海力士接近美光增长30% 23%，NANYA 增长 16%。DRAM 在生产能力方面，三星将在今年年底实现。 120K，2025 年规划达到 170K。

HBM 吴雅婷分析成为一种热门的内存商品，其中三星 HBM 产量占其总内存产量产量的总产量。 9%，SK 海力士的比例达到 14%，美光由于后期产能不多，所以来年产量总额为 6%。美光的 HBM 目前验证情况稳定 HBM 产能不算太多，今年年底 25K，明年底市场份额仍然远低于45K。 SK 两家韩范制造商海力士和三星电子。

所以，对来年来说 HBM 吴雅婷表示，我们一直认为，明年是否会供大于求的问题， HBM 需求很旺盛，HBM 研发过程和良率的提高会比以前的产品更加困难，所以目前预计增长数字可能会被修复。换句话说，不会有供大于求的情况。

吴雅婷指出，HBM 讨价还价的方式是一年一次，大概一年一次。 4 这个月发生了，因为 HBM 还是比较热门的，所以总的来说，明年还是比较热门的， HBM 不会出现缺货的情况，而且价格还会继续上涨。

2024 年 HBM3 这一现象在明年将会更加明显，预计这一现象将会持续增加， HBM3e 所有的东西都将在明年占据 HBM 产出的 85%。

三星 HBM 供应英伟达主要是与英伟达合作。 H20，目前 GB200 另外三星还没有应用， HBM 同时也供应谷歌。SK 今年下半年，海力士主力提供 HBM 给英伟达 H200、GB200 商品。美光 HBM 明年的供应主要集中在明年。 MI325 和 GB300。

2024 年度内存供应，一方面是全球 DRAM 生产能力没有增加，而是 HBM 迅速渗入，HBM 相较于 DDR5 需要更多的使用 wafer，从而影响内存供应，从而推动内存价格上涨。

另一方面，疫情过后，整个智能手机出货量增速放缓，2024年 2008年，由于内存价格上涨，各厂商在手机上增加更多内存的想法减少。如果来年增加，我们期待 AI 移动电话的普及推动了单机组合容量的增加。

来年，吴雅婷指出 LPDDR5 它将成为主流，其中 LPDDR5 智能手机的比例将增加到智能手机 55%。

需求端：AI LPDDR 和 AI Server DRAM 高成长

通用型 Server DRAM 和 Mobile DRAM 需求占比最高，但是 AI LPDDR 和 AI Server DRAM 更好的增长，逐渐成为市场的下一个引领力量。

至于为何 AI 用 LPDDR5 越来越多的吴雅婷解释说，英伟达 Grace CPU 使用制造工艺 onboard 后续英伟达将以一种方式打板子， LPDDR5X 通过模块发货。预测算来年 LPDDR5X 在 AI Server 世界上的增长率将超过 40%。与此同时，这将会挤兑 LPDDR5 用于智能手机的出货量。整体，来年 LPDDR5 价格表现要比较 LPDDR4 更加支撑。

HBM 在需求方面，英伟达仍然是最大的购买客户，今年的比例达到预计明年将有58% 73%。在 HBM 价格坚挺，如果出现价格疲软的情况也主要是因为价格疲软。 BM2e 或 HBM3。随着 HBM3E 持续渗透，预计明年超过比例。 8 成。HBM3的价格e 12hi 就每个字节的价格而言， 8hi 产品的价格要贵 10% 到 15%。

集邦咨询认为明年 HBM 商品均价增长将接近 18%，当然不是每个厂商都有这样的增长，要看厂商所获得的英伟达份额。

值得注意的是 LPDDR 在过去两三季度，智能手机制造商积极消化库存，购买商品，购买商品。 LPDDR4、LPDDR5 意志不强，但随着库存水位的下降，有望在明年第一季度开始畅旺采购，进而带动采购。 LPDDR 的价格。

明年的内存市场如何？

吴雅婷说，估计 2025 年 DRAM 产值仍然创历史新高，主要原因是 HBM 这种高价产品的渗透率提高了。总体而言，供应位元将在明年增长需求增长25% 23%，所以每个供应商都需要对明年的产能规划十分谨慎。

2025 年 HBM 整个内存市场份额接近 9%，但是因为价格高，对整个收入的贡献达到了。 34%，甚至 40%。如果 DRAM 价格下跌进一步加深，HBM 比例会相应增加。而且几家大型内存厂商的盈利能力要看他们在哪里。 HBM 竞争力和竞争力 HBM 供应量来决定。

价格上，2024 2008年第四季度，终端厂商一直在去库存，导致一般型号。 DRAM（Conventional DRAM）价格下跌，每季度大概下跌。 3% 到 8%，即使加上 HBM 7 季度表现，整体表现 DRAM 价格仍有 1% 到 5% 的下跌。明年上半年，由于消费需求没有恢复的迹象，需求仍然相对较差，整体价格主要取决于 HBM 支撑，估计整体 DRAM 明年一季度的下跌将达到第二季度、第三季度跌幅下降10%。

倘若 Conventional DRAM 当需求减少时，供应商会降低产能，所以情况可能会在明年下半年发生变化。估计第三季和第四季的整体情况。 DRAM 价格上涨。

Mobile DRAM LPDDR4方面X 和 LPDDR5X LPDDR4市场表现不同X 随着智能手机向大量供应， LPDDR5 LPDDR4转移价格走势面临挑战。和 LPDDR5X 在 AI 在世界范围内的应用越来越广泛，表现更加稳定。

HBM3e 依然是明年的重点，从比例到 80% 上述，特别是在那里 12hi 商品，对三大厂商的市场份额竞争，还要看一些厂商在英伟达的进步。

总体上，AI、通用服务器的内存需求表现良好，期待消费电子需求的增加，同时内存制造商控制 Conventional DRAM 产能需要因时而动。

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