钛媒体科股早知道:明年供应缺口或超 20%,产能排挤效应有望掀涨价潮

商界观察
2024-07-19

必读要闻一:技术领先!长三角智能网联汽车试验场正式运行

 

据媒体报道,国内首个覆盖智能网联汽车及自动驾驶能力测试全部场景要求的大型综合封闭式智能网联汽车试验场——长三角(盐城)智能网联汽车试验场正式运行。据介绍,长三角(盐城)智能网联汽车试验场拥有全球第一个也是目前唯一一个在封闭汽车试验场内建设的真实隧道场景。全长 840 米,深达地下 13 米,暗埋段呈 S 弯,长度达 350 米,并设有地下分流及地下合流匝道,可以实现在没有 GPS 定位信号且网络信号受到屏蔽时,测试智能网联汽车感知、计算、决策、执行等功能。

 

海通证券认为,从萝卜快跑在武汉的运营来看,订单量已经非常庞大,增长迅速,无人驾驶车辆的商业化运营已成为事实。但是国内路况复杂,单车智能无法和其他车辆很好的交互,尤其涉及变道、上下匝道这样路权分配的场景中,车路云是很好的解决方案,当前发展车路云的必要性也逐渐凸显。而上海发放首批无驾驶人载客牌照许可也标志无人驾驶商业化运营在上海很快成为现实,智能驾驶和车路云协同发展恰逢其时。

 

必读要闻二:5 月该产品出口量同比大增超 650%

 

记者采访了解到,随着光伏、风电、电动汽车等产品大量出口海外,急需先进储能设备为电网稳定运行保驾护航,储能企业向海外市场输出产品及服务的速度正大大提升。当前,国内储能企业正处在有效利用先进产能,抢占海外市场的关键时期。除了阳光电源近日签约全球最大储能项目之外,据不完全统计,今年以来,已有亿纬锂能、宁德时代、瑞浦兰钧、国轩高科、鹏辉能源、海辰储能、远东电池等多家企业与海外客户签署了储能系统订单,预计订货量超过 32GWh。

 

2024 年 1-5 月,中国储能电池累计出口量为 8.4GWh,同比增长 50.1%,这一增速远高于同期动力电池 2.9% 的增速。尤其是 5 月,储能电池出口量达到 4GWh,同比增长高达 664%,中国储能电池出海明显迎来了一个高峰期。业内人士表示,随着电芯供给释放、储能市场价格战加剧,各企业收入增速及盈利能力明显出现分化,海外订单获取能力强的公司量、利增长显著,未来具有全球业务布局、垂直一体化产业链及良好融资能力的企业,将在市场份额和盈利能力上更具竞争优势。

 

必读要闻三:特斯拉冲刺 4680 电池 " 完全体 "

 

特斯拉计划在年底前量产装车完全采用干法电极的 4680 电池,这将是 4680 电池的 " 完全体 " 版本。事实上,2023 年,特斯拉已在 Cybertruck 上采用 4680 电池,但那是一个妥协版,未能实现目标。现在,特斯拉离 4680 电池 " 完全体 " 只差临门一脚。据报道,干法正极的 4680 电池设计近期已经定型,这是大规模量产的前一步,特斯拉电池部门接下来会全力提升生产良率和效率,扩大产能。

 

4680 电池是特斯拉在 2020 年发布的自研电池。特斯拉当时宣称,新技术能让电池成本降低 50%,带来更便宜的新车。本次大幅降本的关键正是干法电极工艺。现有动力电池的正、负极材料是浆状物,即 " 湿法电极 ",这使电池生产需经历烘干、溶剂回收等流程,耗时长、厂房占地面积大。而干法电极省去了上述流程,可以大幅缩减建厂占地和单位电池产能的资本投入,提升电池性能和生产效率。光大证券表示,在特斯拉和诸多电池厂的引领推动下,4680 圆柱电池将在未来五年实现从 0 到 1 到 N 的快速增长,成为中高端乘用车电池的大趋势,从而吸引更多厂商 " 入场 "。

 

必读要闻四:明年供应缺口或超 20%,产能排挤效应有望掀涨价潮

 

行业媒体报道,供应链透露,已接获三星通知,其高频宽存储器(HBM)产品 HBM3e 通过英伟达(NVIDIA)认证,预计本季开始供货,并将提拨高达三成既有 DRAM 产能生产 HBM3e,造成庞大的产能排挤效应," 要赶紧备货(DRAM)",料将引爆 DRAM 涨价潮重头戏,南亚科、威刚、十铨等台厂坐享涨价利益。业界分析,三星是全球存储器龙头,DRAM 市占高达 45% 以上,以三星拟提拨三成产能生产 HBM3e 换算,全球现有超过 13% 的 DRAM 产能不再投入 DDR4 或 DDR5 等 DRAM,导致 DRAM 市场供给更紧俏。

 

根据 TrendForce 集邦咨询最新调查显示,由于通用型服务器 ( general server ) 需求复苏,加上 DRAM 供应商 HBM 生产比重进一步拉高,使供应商将延续涨价态度,第三季 DRAM 均价将持续上扬。摩根士丹利指出,由于近年来 DRAM 厂新增产能有限,叠加 HBM 消耗大量产能,DRAM 正迎来前所未有的供需失衡 " 超级周期 ",明年标准型 DRAM 供应缺口高达 23%,将比 HBM 更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。此外,大摩调升今年第三季 DRAM 和 NAND 芯片价格涨幅预估,由原预期 8% 和 10%,上调至 13% 和 20%,调升幅度高达六成以上。

 

本文仅代表作者观点,版权归原创者所有,如需转载请在文中注明来源及作者名字。

免责声明:本文系转载编辑文章,仅作分享之用。如分享内容、图片侵犯到您的版权或非授权发布,请及时与我们联系进行审核处理或删除,您可以发送材料至邮箱:service@tojoy.com